ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 11A; 2W; SO8

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:40V
• Obudowa:SO8
• Prąd drenu:11A
• Moc rozpraszana:2W
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:11,5m?
• Ładunek bramki:10,5nC
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
• Cena jednostkowa:Nie
• Wersja:ESD

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 12A; 1,2W; SO8

• Cena jednostkowa:Nie
• Rezystancja w stanie przewodzenia:5,8mΩ
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Rezystancja w stanie przewodzenia:5,8m?
• Ładunek bramki:6,8nC
• Moc rozpraszana:1,2W
• Prąd drenu:12A
• Obudowa:SO8
• Napięcie dren-źródło:30V
• Polaryzacja:unipolarny
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Montaż:SMD
• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 9A; 1,3W; SO8

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:30V
• Obudowa:SO8
• Typ tranzystora:N-MOSFET x2
• Prąd drenu:9A
• Moc rozpraszana:1,3W
• Ładunek bramki:8nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:9,6m?

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 5A; 1,28W; SO8

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Obudowa:SO8
• Napięcie dren-źródło:40V
• Prąd drenu:5A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:30mΩ
• Typ tranzystora:N-MOSFET x2
• Moc rozpraszana:1,28W
• Polaryzacja:unipolarny
• Ładunek bramki:4,3nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 8A; 1,3W; SO8

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:40V
• Obudowa:SO8
• Typ tranzystora:N-MOSFET x2
• Prąd drenu:8A
• Moc rozpraszana:1,3W
• Rezystancja w stanie przewodzenia:13m?
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Ładunek bramki:13,6nC
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 5A; 1,5W; TSOP6

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:30V
• Prąd drenu:5A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:35m?
• Moc rozpraszana:1,5W
• Obudowa:TSOP6
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Ładunek bramki:3,2nC
• Rezystancja w stanie przewodzenia:35mΩ

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 6,3A; 1W; TSSOP8

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Polaryzacja:unipolarny
• Typ tranzystora:N-MOSFET x2
• Napięcie dren-źródło:20V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:14m?
• Obudowa:TSSOP8
• Ładunek bramki:16nC
• Prąd drenu:6,3A
• Moc rozpraszana:1W
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±12V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:27m?
• Ładunek bramki:17,9nC
• Struktura półprzewodnika:wspólny dren
• Prąd drenu w impulsie:30A
• Moc rozpraszana:1,08W
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 11A; 278W; TO263

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:500V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:380m?
• Obudowa:TO263
• Prąd drenu:11A
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±30V
• Ładunek bramki:51nC
• Moc rozpraszana:278W
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Cena jednostkowa:Nie
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,38?

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 100A; 47,5W; TO263

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:40V
• Obudowa:TO263
• Ładunek bramki:20nC
• Rezystancja w stanie przewodzenia:2,8m?
• Prąd drenu:100A
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Moc rozpraszana:47,5W
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 17A; 40W; TO263

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Obudowa:TO263
• Napięcie dren-źródło:600V
• Prąd drenu:17A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,16?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:40W
• Polaryzacja:unipolarny
• Ładunek bramki:26nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±30V

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 82A; 136W; TO263

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Obudowa:TO263
• Napięcie dren-źródło:80V
• Prąd drenu:82A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:3,2m?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:136W
• Polaryzacja:unipolarny
• Ładunek bramki:58nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V

Tranzystor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Obudowa:TO252
• Napięcie kolektor-emiter:650V
• Napięcie bramka - emiter:±20V
• Prąd kolektora:5A
• Prąd kolektora w impulsie:15A
• Typ tranzystora:IGBT
• Moc rozpraszana:21W
• Ładunek bramki:8,8nC

Tranzystor: IGBT; 1,35kV; 20A; 170W; TO247; 1,05mJ

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:THT
• Obudowa:TO247
• Prąd kolektora:20A
• Typ tranzystora:IGBT
• Prąd kolektora w impulsie:80A
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:66nC
• Napięcie bramka - emiter:±20V
• Napięcie kolektor-emiter:1,35kV
• Moc rozpraszana:170W
• Napięcie nasycenia kol.-emit.:1,57V
• Energia wyłączenia:1,05mJ
• Czas wyłączania:480ns
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: IGBT; 650V; 20A; 114W; TO247; Ewył: 0,28mJ; Ezał: 0,58mJ

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:THT
• Obudowa:TO247
• Napięcie kolektor-emiter:650V
• Napięcie bramka - emiter:±30V
• Napięcie nasycenia kol.-emit.:1,7V
• Prąd kolektora:20A
• Prąd kolektora w impulsie:60A
• Czas załączania:59ns
• Czas wyłączania:178ns
• Typ tranzystora:IGBT
• Moc rozpraszana:114W
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:46nC
• Energia załączenia:0,58mJ
• Energia wyłączenia:0,28mJ

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 29,6A; Idm: 85A

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:THT
• Obudowa:TO247-4
• Napięcie dren-źródło:1,2kV
• Prąd drenu:29,6A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:90m?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:187,5W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:62,3nC
• Technologia:SiC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:-5...15V
• Prąd drenu w impulsie:85A

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 3,5A; 1,8W; DFN2x2B

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Obudowa:DFN2x2B
• Napięcie dren-źródło:100V
• Prąd drenu:3,5A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:72m?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:1,8W
• Polaryzacja:unipolarny
• Ładunek bramki:6,5nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 8A; 2W; DFN3x3

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Obudowa:DFN3x3
• Napięcie dren-źródło:30V
• Prąd drenu:8A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:17m?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:2W
• Polaryzacja:unipolarny
• Wersja:ESD
• Ładunek bramki:15nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; komplementarne; 30/-30V; DFN8

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Obudowa:DFN8
• Struktura półprzewodnika:wspólny dren
• Napięcie dren-źródło:30/-30V
• Prąd drenu:3,8/-4,7A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:50/38m?
• Typ tranzystora:N/P-MOSFET
• Moc rozpraszana:1,3/1,6W
• Polaryzacja:unipolarny
• Ładunek bramki:2/4,6nC
• Rodzaj tranzystora:para komplementarna
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 8A; 1W; DFN6

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Polaryzacja:unipolarny
• Typ tranzystora:N-MOSFET x2
• Napięcie dren-źródło:20V
• Prąd drenu:8A
• Obudowa:DFN6
• Moc rozpraszana:1W
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±12V
• Struktura półprzewodnika:wspólny dren
• Ładunek bramki:12,5nC
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
• Cena jednostkowa:Nie
• Wersja:ESD

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 89A; 31W; DFN5x6

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Obudowa:DFN5x6
• Napięcie dren-źródło:40V
• Prąd drenu:89A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:3,6m?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:31W
• Polaryzacja:unipolarny
• Ładunek bramki:70nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:3,6mΩ