NXP

Dioda: przełączająca; 30V; 100mA; 715mW; SOD523; pojedyncza dioda

• Producent:NXP
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Napięcie wsteczne maks.:30V
• Typ diody:przełączająca
• Prąd przewodzenia:100mA
• Obudowa:SOD523
• Napięcie przewodzenia maks.:0,9V
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:PIN
• Moc rozpraszana:715mW
• Rodzaj opakowania:rolka
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:RF
• Cena jednostkowa:Nie
• Prąd przewodzenia:0,1A

Tranzystor: NPN; bipolarny; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323

• Producent:NXP
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Typ tranzystora:NPN
• Polaryzacja:bipolarny
• Prąd kolektora:40mA
• Obudowa:SOT323
• Moc rozpraszana:450mW
• Rodzaj tranzystora:RF
• Wzmocnienie tranzystora:60...200
• Napięcie kolektor-emiter:24V
• Częstotliwość:11GHz
• Rodzaj opakowania:rolka
• Cena jednostkowa:Nie
• Moc rozpraszana:0,45W

Tranzystor: NPN; bipolarny; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223

• Producent:NXP
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT223
• Częstotliwość:11GHz
• Napięcie kolektor-emiter:12V
• Wzmocnienie tranzystora:60...130
• Prąd kolektora:60mA
• Typ tranzystora:NPN
• Moc rozpraszana:1W
• Polaryzacja:bipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma
• Rodzaj tranzystora:RF

Tranzystor: NPN; bipolarny; RF; 2,8V; 40mA; 136mW; SOT343F

• Producent:NXP
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT343F
• Częstotliwość:110GHz
• Napięcie kolektor-emiter:2,8V
• Wzmocnienie tranzystora:160...400
• Prąd kolektora:40mA
• Typ tranzystora:NPN
• Moc rozpraszana:136mW
• Polaryzacja:bipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:tranzystor krzemowo germanowy (SiGe)
• Rodzaj tranzystora:RF

Dioda: prostownicza; 50V; 50mA; SOD523; pojedyncza dioda; 715mW

• Producent:NXP
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Napięcie wsteczne maks.:50V
• Typ diody:prostownicza
• Prąd przewodzenia:50mA
• Obudowa:SOD523
• Napięcie przewodzenia maks.:0,95V
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:PIN
• Moc rozpraszana:715mW
• Typ diody:przełączająca
• Cena jednostkowa:Nie
• Rodzaj opakowania:rolka
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:RF

Dioda: prostownicza; 50V; 50mA; SOT23; podwójna szeregowa; 250mW

• Producent:NXP
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Napięcie wsteczne maks.:50V
• Typ diody:prostownicza
• Prąd przewodzenia:50mA
• Obudowa:SOT23
• Struktura półprzewodnika:podwójna szeregowa
• Moc rozpraszana:250mW
• Napięcie przewodzenia maks.:0,95V
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:PIN
• Typ diody:przełączająca
• Cena jednostkowa:Nie
• Moc rozpraszana:0,25W
• Rodzaj opakowania:rolka
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:RF

Dioda: prostownicza; 50V; 50mA; SOD323; pojedyncza dioda; 500mW

• Producent:NXP
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Napięcie wsteczne maks.:50V
• Typ diody:prostownicza
• Obudowa:SOD323
• Prąd przewodzenia:50mA
• Moc rozpraszana:500mW
• Napięcie przewodzenia maks.:0,95V
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:RF
• Typ diody:przełączająca
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:PIN
• Cena jednostkowa:Nie
• Moc rozpraszana:0,5W
• Rodzaj opakowania:rolka

Dioda: prostownicza; 175V; 100mA; SOT23; wspólna anoda,podwójna

• Producent:NXP
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Typ diody:prostownicza
• Prąd przewodzenia:100mA
• Obudowa:SOT23
• Struktura półprzewodnika:wspólna anoda
• Moc rozpraszana:250mW
• Napięcie przewodzenia maks.:0,95V
• Napięcie wsteczne maks.:175V
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:PIN
• Typ diody:przełączająca
• Cena jednostkowa:Nie
• Prąd przewodzenia:0,1A
• Moc rozpraszana:0,25W
• Rodzaj opakowania:rolka
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:RF
• Struktura półprzewodnika:podwójna

Dioda: prostownicza; 30V; 100mA; SOD323; pojedyncza dioda; 500mW

• Producent:NXP
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Typ diody:prostownicza
• Napięcie wsteczne maks.:30V
• Obudowa:SOD323
• Prąd przewodzenia:100mA
• Moc rozpraszana:500mW
• Napięcie przewodzenia maks.:0,9V
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:PIN
• Typ diody:przełączająca
• Cena jednostkowa:Nie
• Prąd przewodzenia:0,1A
• Moc rozpraszana:0,5W
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:RF
• Rodzaj opakowania:rolka

Dioda: pojemnościowa; 30V; 20mA; SOT23; pojedyncza dioda; Ir: 20nA

• Producent:NXP
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Napięcie wsteczne maks.:30V
• Prąd przewodzenia:20mA
• Obudowa:SOT23
• Typ diody:pojemnościowa
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Prąd upływu:20nA
• Pojemność:4,3...32pF
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:RF
• Cena jednostkowa:Nie
• Rodzaj opakowania:rolka

Czujnik temperatury; -55÷150°C; SOT23; SMD; 990Ω

• Producent:NXP
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT23
• Typ układu scalonego:czujnik temperatury
• Prąd pracy maks.:10mA
• Rezystancja:990?
• Zakres pomiaru temperatury:-55...150°C
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Cena jednostkowa:Nie
• Status części:Nierekomendowany do nowych projektów

Mikrokontroler ARM; SRAM: 64kB; LQFP100; Flash: 512kB

• Producent:NXP
• Montaż:SMD
• Interfejs:SPI
• Liczba wejść/wyjść:70
• Obudowa:LQFP100
• Pojemność pamięci SRAM:64kB
• Pojemność pamięci Flash:512kB
• Typ układu scalonego:mikrokontroler ARM
• Rodzaj architektury:Cortex M3
• Temperatura pracy:-40...85°C
• Interfejs:CAN
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Cena jednostkowa:Nie
• Pamięć:512kB FLASH
• Pamięć:32kB SRAM