Wyniki szukania: 10N60

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,9A; 85W; DPAK

• Producent:STMicroelectronics
• Montaż:SMD
• Obudowa:DPAK
• Napięcie dren-źródło:600V
• Napięcie bramka-źródło:±25V
• Prąd drenu:4,9A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:600m?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:85W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
• Technologia:SuperMesh™
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Cena jednostkowa:Nie
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,6?

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,2A; 250W; TO220

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Rezystancja w stanie przewodzenia:600m?
• Napięcie dren-źródło:600V
• Prąd drenu:7,2A
• Ładunek bramki:31nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±30V
• Moc rozpraszana:250W
• Cena jednostkowa:Nie
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,6?

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6,4A; TO220F

• Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220F
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Prąd drenu:6,4A
• Napięcie dren-źródło:600V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:750m?
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±30V
• Ładunek bramki:31,1nC
• Cena jednostkowa:Nie
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,75?

Tranzystor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Napięcie kolektor-emiter:600V
• Prąd kolektora:10A
• Obudowa:D2PAK
• Typ tranzystora:IGBT
• Rodzaj opakowania:tuba
• Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor
• Napięcie bramka - emiter:±20V
• Moc rozpraszana:110W
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Napięcie kolektor-emiter:600V
• Typ tranzystora:IGBT
• Rodzaj opakowania:tuba
• Prąd kolektora:18A
• Obudowa:TO220-3
• Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor
• Napięcie bramka - emiter:±20V
• Moc rozpraszana:110W
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Obudowa:D2PAK
• Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor
• Napięcie kolektor-emiter:600V
• Napięcie bramka - emiter:±20V
• Prąd kolektora:18A
• Prąd kolektora w impulsie:30A
• Czas załączania:20ns
• Czas wyłączania:253ns
• Typ tranzystora:IGBT
• Moc rozpraszana:110W
• Rodzaj opakowania:taśma
• Cena jednostkowa:Nie
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:integrated anti-parallel diode
• Ładunek bramki:62nC
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Technologia:TRENCHSTOP™

Tranzystor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Napięcie kolektor-emiter:600V
• Prąd kolektora:10A
• Typ tranzystora:IGBT
• Prąd kolektora w impulsie:30A
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:62nC
• Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor
• Napięcie bramka - emiter:±20V
• Moc rozpraszana:110W
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:integrated anti-parallel diode
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; 600V; 10A; 200W; TO220-3; 120ns

• Producent:IXYS
• Montaż:THT
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Prąd drenu:10A
• Napięcie dren-źródło:600V
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:32nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Obudowa:TO220-3
• Moc rozpraszana:200W
• Czas gotowości:120ns
• Rezystancja w stanie przewodzenia:740m?
• Obudowa:TO220AB
• Cena jednostkowa:Nie
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,74?

Tranzystor: N-MOSFET; 600V; 10A; 200W; TO220-3; 500ns

• Producent:IXYS
• Montaż:THT
• Czas gotowości:500ns
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Prąd drenu:10A
• Napięcie dren-źródło:600V
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:32nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Obudowa:TO220-3
• Moc rozpraszana:200W
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:standard power mosfet
• Rezystancja w stanie przewodzenia:740m?
• Obudowa:TO220AB
• Cena jednostkowa:Nie
• Czas gotowości:0,5µs
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,74?

Tranzystor: N-MOSFET; SJ-MOSFET C2; unipolarny; 600V; 8A; 57W

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 8A; 57W; SOT223

• Producent:WAYON
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Obudowa:SOT223
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Prąd drenu:8A
• Napięcie dren-źródło:600V
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±30V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:720m?
• Moc rozpraszana:57W
• Technologia:WMOS™ C2
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 8A; 57W; TO263

• Producent:WAYON
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Prąd drenu:8A
• Napięcie dren-źródło:600V
• Obudowa:TO263
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±30V
• Moc rozpraszana:57W
• Rezystancja w stanie przewodzenia:690m?
• Technologia:WMOS™ C2
• Cena jednostkowa:Nie
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,69?

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 8A; 57W; TO262

• Producent:WAYON
• Montaż:THT
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Prąd drenu:8A
• Napięcie dren-źródło:600V
• Rodzaj opakowania:tuba
• Obudowa:TO262
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±30V
• Moc rozpraszana:57W
• Rezystancja w stanie przewodzenia:690m?
• Technologia:WMOS™ C2
• Cena jednostkowa:Nie
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,69?

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 8A; 57W; TO252

• Producent:WAYON
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Prąd drenu:8A
• Napięcie dren-źródło:600V
• Obudowa:TO252
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±30V
• Moc rozpraszana:57W
• Rezystancja w stanie przewodzenia:690m?
• Technologia:WMOS™ C2
• Cena jednostkowa:Nie
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,69?

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolarny; 600V; 4,8A; Idm: 19A

• Producent:WAYON
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220FP
• Napięcie dren-źródło:600V
• Prąd drenu:4,8A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,6?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:27W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:9,6nC
• Technologia:WMOS™ C4
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±30V
• Prąd drenu w impulsie:19A