Wyniki szukania: bss

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23

• Producent:AKYGA SEMI
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT23
• Napięcie dren-źródło:100V
• Prąd drenu:0,17A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:12Ω
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:0,36W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma
• Ładunek bramki:2,5nC
• Napięcie bramka-źródło:±20V

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,15A; Idm: 0,77A; 0,5W

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT23
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:100V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:10?
• Moc rozpraszana:0,5W
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Technologia:OptiMOS™
• Ładunek bramki:0,63nC
• Prąd drenu:0,15A
• Prąd drenu w impulsie:0,77A
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,15A; Idm: 0,77A; 0,5W

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT23
• Napięcie dren-źródło:100V
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Prąd drenu:0,15A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:10?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:0,5W
• Polaryzacja:unipolarny
• Cena jednostkowa:Nie
• Ładunek bramki:0,6nC
• Technologia:OptiMOS™
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Prąd drenu w impulsie:0,77A

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 50V; 220mA; 360mW; SOT23

• Producent:ONSEMI
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT23
• Napięcie dren-źródło:50V
• Prąd drenu:0,22A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:3,5?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:0,36W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma
• Ładunek bramki:1,7nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 50V; 0,22A; 0,35W; SOT23

• Producent:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Obudowa:SOT23
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:50V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:2,5?
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Prąd drenu:0,22A
• Ładunek bramki:0,7nC
• Moc rozpraszana:0,35W
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Rodzaj opakowania:rolka
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 230mA; 360mW; SOT23

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT23
• Napięcie dren-źródło:60V
• Prąd drenu:0,23A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:3,5Ω
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:0,36W
• Polaryzacja:unipolarny
• Ładunek bramki:1nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 50V; 220mA; 350mW; SOT23

• Producent:ONSEMI
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT23
• Napięcie dren-źródło:50V
• Prąd drenu:0,22A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:1,6?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:0,35W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma
• Ładunek bramki:2,4nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±12V

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 50V; 0,2A; Idm: 0,8A; 0,225W

• Producent:ONSEMI
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Obudowa:SOT23
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:50V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:3,5?
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Prąd drenu:0,2A
• Moc rozpraszana:0,225W
• Prąd drenu w impulsie:0,8A
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Rodzaj opakowania:rolka
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 200mA; Idm: 1,2A; 420mW

• Producent:NEXPERIA
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:60V
• Typ tranzystora:N-MOSFET x2
• Prąd drenu:200mA
• Obudowa:SOT363
• Rezystancja w stanie przewodzenia:1,6?
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Moc rozpraszana:420mW
• Prąd drenu w impulsie:1,2A
• Ładunek bramki:800pC
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Rodzaj opakowania:rolka
• Cena jednostkowa:Nie
• Prąd drenu:0,2A
• Moc rozpraszana:0,42W
• Ładunek bramki:0,8nC

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 3,2A; 1W; PG-SOT89

• Cena jednostkowa:Nie
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Obudowa:PG-SOT89
• Technologia:OptiMOS™ 3
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Prąd drenu:3,2A
• Moc rozpraszana:1W
• Rezystancja w stanie przewodzenia:90m?
• Napięcie dren-źródło:60V
• Polaryzacja:unipolarny
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Montaż:SMD
• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,17A; 0,35W; SOT23

• Producent:AKYGA SEMI
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT23
• Napięcie dren-źródło:60V
• Prąd drenu:0,17A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:3,3Ω
• Typ tranzystora:P-MOSFET
• Moc rozpraszana:0,35W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma
• Ładunek bramki:1,77nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -50V; -0,13A; Idm: -0,52A; 0,225W

• Producent:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Obudowa:SOT23
• Polaryzacja:unipolarny
• Typ tranzystora:P-MOSFET
• Napięcie dren-źródło:-50V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:10?
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Prąd drenu:-0,13A
• Moc rozpraszana:0,225W
• Prąd drenu w impulsie:-0,52A
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Rodzaj opakowania:rolka
• Cena jednostkowa:Nie
• Prąd drenu:-130mA

Tranzystor: P-MOSFET; Trench; unipolarny; -60V; -230mA; Idm: -0,92A

• Producent:ROHM SEMICONDUCTOR
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT23
• Napięcie dren-źródło:-60V
• Prąd drenu:-230mA
• Rezystancja w stanie przewodzenia:6,4?
• Typ tranzystora:P-MOSFET
• Moc rozpraszana:0,35W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma
• Technologia:Trench
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Prąd drenu w impulsie:-0,92A

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -60V; -0,13A; Idm: -0,58A; 0,225W

• Producent:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Obudowa:SOT23
• Polaryzacja:unipolarny
• Typ tranzystora:P-MOSFET
• Rezystancja w stanie przewodzenia:7?
• Napięcie dren-źródło:-60V
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Prąd drenu:-0,13A
• Moc rozpraszana:0,225W
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
• Prąd drenu w impulsie:-0,58A
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Rodzaj opakowania:rolka
• Cena jednostkowa:Nie
• Prąd drenu:-130mA

IC: power switch; high-side; 625mA; Kanały: 1; N-Channel; SMD

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Rezystancja w stanie przewodzenia:150m?
• Liczba kanałów:1
• Rodzaj układu scalonego:high-side
• Prąd wyjściowy:625mA
• Typ układu scalonego:power switch
• Rodzaj wyjścia:N-Channel
• Obudowa:BSSOP36
• Napięcie zasilania:11...45V DC
• Technologia:Classic PROFET
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,15Ω
• Prąd wyjściowy:0,625A

Przetwornica: DC/DC; 30W; Uwej: 10,8÷27V; Uwyj: 54VDC; Iwyj: 560mA

• Producent:Murata Power Solutions
• Montaż:SMT
• Temperatura pracy:-40...85°C
• Moc:30W
• Liczba wyjść:1
• Wymiary zewnętrzne:35,5x22,4x8,9mm
• Napięcie wyjściowe:54V DC
• Prąd wyjściowy:0,56A
• Napięcie izolacji:2,25kV DC
• Napięcie wejściowe:10,8...27V
• Typ przetwornicy:DC/DC
• Sprawność:90%
• Seria producenta:MYBSS

Dioda: prostownicza Schottky; SOD323HE; SMD; 40V; 1A; rolka,taśma

• Producent:ONSEMI
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOD323HE
• Napięcie wsteczne maks.:40V
• Napięcie przewodzenia maks.:0,55V
• Prąd przewodzenia:1A
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Prąd w impulsie maks.:25A
• Zastosowanie:branża motoryzacyjna
• Rodzaj opakowania:taśma
• Cena jednostkowa:Nie
• Typ diody:prostownicza Schottky

Dioda: prostownicza Schottky; SOD123F; SMD; 40V; 3A; rolka,taśma

• Producent:ONSEMI
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOD123F
• Napięcie wsteczne maks.:40V
• Napięcie przewodzenia maks.:0,5V
• Prąd przewodzenia:3A
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Prąd w impulsie maks.:80A
• Zastosowanie:branża motoryzacyjna
• Rodzaj opakowania:taśma
• Typ diody:prostownicza Schottky

Tranzystor: NPN; bipolarny; 30V; 2,6A; SOT23

• Producent:NEXPERIA
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Obudowa:SOT23
• Typ tranzystora:NPN
• Polaryzacja:bipolarny
• Napięcie kolektor-emiter:30V
• Częstotliwość:180MHz
• Wzmocnienie tranzystora:100...500
• Prąd kolektora:2,6A
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Rodzaj opakowania:rolka
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: NPN; bipolarny; 60V; 7A; 2,6W; SC73,SOT223

• Producent:NEXPERIA
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT223
• Napięcie kolektor-emiter:60V
• Wzmocnienie tranzystora:50...500
• Prąd kolektora:7A
• Typ tranzystora:NPN
• Moc rozpraszana:2,6W
• Polaryzacja:bipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma