Wyniki szukania: irg

IC: interfejs; odbiornik linii; half duplex,RS422; 32000kbps

• Producent:TEXAS INSTRUMENTS
• Montaż:SMD
• Temperatura pracy:-40...85°C
• Obudowa:VQFN16
• Napięcie zasilania:3...3,6V DC
• Typ układu scalonego:interfejs
• Interfejs:RS422
• Szybkość transmisji danych:32Mbps
• Właściwości układów scalonych:differential
• Liczba odbiorników:4
• Rodzaj układu scalonego:odbiornik linii

IC: przetwornik D/A; 12bit; 1Msps; Ch: 2; VQFN16; -40÷105°C; ±0,5LSB

• Producent:TEXAS INSTRUMENTS
• Montaż:SMD
• Temperatura pracy:-40...105°C
• Obudowa:VQFN16
• Napięcie zasilania:2,7...5,5V DC
• Typ układu scalonego:przetwornik D/A
• Interfejs:SPI
• Rozdzielczość przetwornika:12bit
• Szybkość próbkowania:1Msps
• Liczba kanałów:2
• Max DNL:±0,5LSB
• Dokładność względna:1LSB

Dioda: prostownicza; THT; 600V; 12A; Opakowanie: tuba; TO220ACIns

• Producent:STMicroelectronics
• Montaż:THT
• Typ diody:prostownicza
• Napięcie wsteczne maks.:600V
• Napięcie przewodzenia maks.:1,4V
• Prąd przewodzenia:12A
• Czas gotowości:25ns
• Grubość radiatora:1,23...1,32mm
• Prąd w impulsie maks.:100A
• Rodzaj opakowania:tuba
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:ultraszybkie przełączanie
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Obudowa:TO220ACIns
• Cena jednostkowa:Nie
• Napięcie wsteczne maks.:0,6kV

Dioda: prostownicza; THT; 600V; 8A; Opakowanie: tuba; TO220Ins; 25ns

• Producent:STMicroelectronics
• Montaż:THT
• Typ diody:prostownicza
• Napięcie wsteczne maks.:600V
• Napięcie przewodzenia maks.:1,4V
• Prąd przewodzenia:8A
• Czas gotowości:25ns
• Rodzaj opakowania:tuba
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:ultraszybkie przełączanie
• Prąd w impulsie maks.:80A
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Obudowa:TO220Ins
• Grubość radiatora:1,23...1,32mm
• Obudowa:TO220ACIns
• Cena jednostkowa:Nie
• Napięcie wsteczne maks.:0,6kV

Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Napięcie kolektor-emiter:600V
• Typ tranzystora:IGBT
• Czas załączania:35ns
• Rodzaj opakowania:tuba
• Obudowa:TO262
• Ładunek bramki:77nC
• Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor
• Napięcie bramka - emiter:±20V
• Prąd kolektora w impulsie:72A
• Prąd kolektora:39A
• Czas wyłączania:176ns
• Technologia:Trench
• Moc rozpraszana:123W
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: IGBT; 600V; 22A; 66W; DPAK

Tranzystor: IGBT; 600V; 40A; 160W; TO220AB

IRG4BC40S

• Liczba w opakowaniu:50
• Liczba w opakowaniu:10
• Obudowa:TO220

Wyświetlacz: LED; 7-segmentowy; 14,2mm; 0,56"; Il.zn: 4; 40mcd