Wyniki szukania: irl

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:40V
• Prąd drenu:120A
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:75nC
• Rezystancja w stanie przewodzenia:3,1m?
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±16V
• Technologia:HEXFET®
• Moc rozpraszana:230W
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Prąd drenu w impulsie:790A
• Cena jednostkowa:Nie
• #Akcje #promocyjne:aac_202202

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 557A; D2PAK-7

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Obudowa:D2PAK-7
• Napięcie dren-źródło:40V
• Prąd drenu:557A
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma
• Rodzaj kanału:wzbogacany

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; D2PAK

• Producent:VISHAY
• Montaż:SMD
• Obudowa:D2PAK
• Napięcie dren-źródło:200V
• Prąd drenu:11A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,18?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:125W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma
• Ładunek bramki:66nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±10V
• Prąd drenu w impulsie:68A

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 68A; DirectFET-L8

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Obudowa:DirectFET-L8
• Napięcie dren-źródło:40V
• Prąd drenu:68A
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma
• Rodzaj kanału:wzbogacany

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP

• Producent:VISHAY
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220FP
• Napięcie dren-źródło:60V
• Prąd drenu:30A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:39m?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:48W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:66nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±10V
• Prąd drenu w impulsie:120A

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -0,61A; 0,54W; SOT23

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Obudowa:SOT23
• Polaryzacja:unipolarny
• Typ tranzystora:P-MOSFET
• Rodzaj opakowania:rolka
• Napięcie dren-źródło:-30V
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Technologia:HEXFET®
• Prąd drenu:-0,61A
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Moc rozpraszana:0,54W
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Obudowa:DPAK
• Napięcie dren-źródło:30V
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Prąd drenu:61A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:5,8m?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:75W
• Polaryzacja:unipolarny
• Technologia:HEXFET®
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Prąd drenu w impulsie:340A
• Cena jednostkowa:Nie
• #Akcje #promocyjne:aac_202202

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Obudowa:D2PAK-7
• Napięcie dren-źródło:60V
• Napięcie bramka-źródło:±16V
• Prąd drenu:210A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:1,9m?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:380W
• Polaryzacja:unipolarny
• Technologia:HEXFET®
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Prąd drenu w impulsie:1kA
• Cena jednostkowa:Nie
• #Akcje #promocyjne:aac_202202

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 15A; 52W; IPAK

• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Technologia:HEXFET®
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Polaryzacja:unipolarny
• Moc rozpraszana:52W
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Prąd drenu:15A
• Napięcie dren-źródło:100V
• Obudowa:IPAK
• Montaż:THT
• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES

Nadajnik IR; 3mm; 940nm; przezroczysta; 25°; THT; 20mA

• Producent:WENRUN
• Montaż:THT
• Średnica diody LED:3mm
• Soczewka diody:przezroczysta
• Prąd diody LED:20mA
• Czoło:wypukłe
• Typ diody:nadajnik IR
• Długość fali ?d:940nm
• Jasność:10...20mcd
• Kąt świecenia:25°
• Cena jednostkowa:Nie
• Ilość wyprowadzeń:2
• Typ diody świecącej:nadajnik IR

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 130A; 200W; TO220AB

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:40V
• Prąd drenu:130A
• Rodzaj opakowania:tuba
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Technologia:HEXFET®
• Moc rozpraszana:200W
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:40V
• Obudowa:D2PAK
• Prąd drenu:120A
• Rodzaj opakowania:rolka
• Ładunek bramki:75nC
• Rezystancja w stanie przewodzenia:3,1m?
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±16V
• Technologia:HEXFET®
• Moc rozpraszana:230W
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Prąd drenu w impulsie:790A
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 55V; 89A; 130W; TO220AB

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Rezystancja w stanie przewodzenia:10m?
• Napięcie dren-źródło:55V
• Rodzaj opakowania:tuba
• Prąd drenu:89A
• Ładunek bramki:65,3nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±16V
• Technologia:HEXFET®
• Moc rozpraszana:130W
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 4A; 43W; TO220AB

• Producent:VISHAY
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:100V
• Prąd drenu:4A
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:6,1nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±10V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:540m?
• Moc rozpraszana:43W
• Cena jednostkowa:Nie
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,54?
• Prąd drenu w impulsie:18A

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 17A; 3,8W; D2PAK

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:100V
• Obudowa:D2PAK
• Prąd drenu:17A
• Moc rozpraszana:3,8W
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Technologia:HEXFET®
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 36A; 140W; TO220AB

• Cena jednostkowa:Nie
• Moc rozpraszana:140W
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Technologia:HEXFET®
• Napięcie bramka-źródło:±16V
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Prąd drenu:36A
• Ładunek bramki:49,3nC
• Rezystancja w stanie przewodzenia:44m?
• Rodzaj opakowania:tuba
• Napięcie dren-źródło:100V
• Polaryzacja:unipolarny
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Obudowa:TO220AB
• Montaż:THT
• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 36A; 3,8W; D2PAK

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:100V
• Obudowa:D2PAK
• Rodzaj opakowania:rolka
• Moc rozpraszana:3,8W
• Prąd drenu:36A
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Technologia:HEXFET®
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 9,9A; 2,5W; SO8

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:30V
• Obudowa:SO8
• Rodzaj opakowania:rolka
• Moc rozpraszana:2,5W
• Rezystancja w stanie przewodzenia:14,6m?
• Prąd drenu:9,9A
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Technologia:HEXFET®
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 8,1A; 2,5W; SO8

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:30V
• Obudowa:SO8
• Typ tranzystora:N-MOSFET x2
• Moc rozpraszana:2,5W
• Prąd drenu:8,1A
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±12V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:17,9m?
• Technologia:HEXFET®
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Cena jednostkowa:Nie
• Rodzaj opakowania:rolka

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 11A; 125W; TO220AB

• Producent:VISHAY
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:200V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:270m?
• Rodzaj opakowania:tuba
• Prąd drenu:11A
• Ładunek bramki:66nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±10V
• Moc rozpraszana:125W
• Cena jednostkowa:Nie
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,27?
• Prąd drenu w impulsie:68A