Wyniki szukania: irlb

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 343A; 375W; TO220AB

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:40V
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:108nC
• Rezystancja w stanie przewodzenia:1,7m?
• Prąd drenu:343A
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Technologia:HEXFET®
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Moc rozpraszana:375W
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 270A; 380W; TO220AB

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:60V
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:91nC
• Rezystancja w stanie przewodzenia:2,4m?
• Prąd drenu:270A
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±16V
• Technologia:HEXFET®
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Moc rozpraszana:380W
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 260A; 230W; TO220AB

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:30V
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:57nC
• Rezystancja w stanie przewodzenia:1,95m?
• Prąd drenu:260A
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Technologia:HEXFET®
• Moc rozpraszana:230W
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 180A; 370W; TO220AB

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:100V
• Prąd drenu:180A
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:87nC
• Rezystancja w stanie przewodzenia:4,3m?
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±16V
• Technologia:HEXFET®
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Moc rozpraszana:370W
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:30V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:3,5m?
• Prąd drenu:100A
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Technologia:HEXFET®
• Moc rozpraszana:140W
• Prąd drenu w impulsie:620A
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 62A; 65W; TO220AB

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:30V
• Rodzaj opakowania:tuba
• Rezystancja w stanie przewodzenia:8,7m?
• Prąd drenu:62A
• Ładunek bramki:7,6nC
• Moc rozpraszana:65W
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Technologia:HEXFET®
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 150A; 140W; TO220AB

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:THT
• Obudowa:TO220AB
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:30V
• Prąd drenu:150A
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:36nC
• Rezystancja w stanie przewodzenia:3,2m?
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Technologia:HEXFET®
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level
• Moc rozpraszana:140W
• Cena jednostkowa:Nie