KoszykTwój koszyk jest pusty ...
Strona główna » Wyniki szukania

wyszukiwanie zaawansowane
PolskiAngielski
Waluta
Oferta w pliku
Pobierz cennik PDFPobierz cennik HTMLPobierz cennik XLS
Kategorie
Statystyka
  • Ilość produktów: 137559
  • Aktualnie klientów na stronie: 76
  • Sklep odwiedziło: 5665700 klientów

Wyniki szukania: p12nm

Zmień ustawienia wyszukiwania

Znaleziono produktów:3

Szukaj dokładnie wpisany tekst:tak

Szukaj w numerach katalogowych:tak

Szukaj w kodach producenta:tak

Szukaj w opisach produktów:tak

TRANZYSTOR NFET 12A500V TO220 12N50 ROHS

TRANZYSTOR NFET 12A500V TO220 12N50 ROHS

46,96 zł / szt
  • Producent: STM
  • Symbol producenta: STP12NM50 STM 10+ TO220
  • Numer katalogowy: 53816
  • Dostępność: Dostępny
  • Ilość: 14.00 szt
sztDo koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
Tranzystor STP12NM50

Tranzystor STP12NM50

33,31 zł / szt.
  • Producent: STMicroelectronics
  • Symbol producenta: STP12NM50
  • Numer katalogowy: 55STP12NM50
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 313.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 7,5A; 160W; TO220-3

  • Producent:STMicroelectronics
  • Montaż:THT
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Prąd drenu:7,5A
  • Napięcie dren-źródło:500V
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:350m?
  • Obudowa:TO220-3
  • Napięcie bramka-źródło:±30V
  • Moc rozpraszana:160W
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:0,35?
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
Tranzystor STP12NM50FP

Tranzystor STP12NM50FP

24,74 zł / szt.
  • Producent: STMicroelectronics
  • Symbol producenta: STP12NM50FP
  • Numer katalogowy: 55STP12NM50FP
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 112.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 550V; 7,5A; 35W; TO220FP

  • Producent:STMicroelectronics
  • Montaż:THT
  • Obudowa:TO220FP
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Prąd drenu:7,5A
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Napięcie dren-źródło:550V
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:350m?
  • Napięcie bramka-źródło:±30V
  • Technologia:MDmesh™
  • Moc rozpraszana:35W
  • Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:0,35?
  • Wersja:ESD
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka

Sklep internetowy shopGold
Korzystanie z tej witryny oznacza wyrażenie zgody na wykorzystanie plików cookies. Więcej informacji możesz znaleźć w naszej Polityce Cookies.
Nie pokazuj więcej tego komunikatu