Strona główna » Wyniki szukania

wyszukiwanie zaawansowane

Waluta

Oferta w pliku

Kategorie

E-mail:mirek@slawmir.pl
Telefon22.865.30.60
Preferowany kontakt mailowy!
Gadu Gadu997271
Godziny działania sklepuponiedziałek - piątek:
od 9:00 do 17:00

Facebook

Statystyka

Ilość produktów: 152028
Aktualnie klientów na stronie: 58
Sklep odwiedziło: 11786997 klientów

Wyniki szukania: ramka

Zmień ustawienia wyszukiwania

Znaleziono produktów:3873

Szukaj dokładnie wpisany tekst:tak

Szukaj w numerach katalogowych:tak

Szukaj w kodach producenta:tak

Szukaj w opisach produktów:tak

2N7000-D75Z

3,43 zł / szt.

Producent: ONSEMI
Symbol producenta: 552N7000-D75Z
Numer katalogowy: 552N7000-D75Z
Dostępność:
Ilość: 2009.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 200mA; Idm: 0,5A; 0,4W; TO92

Producent:ONSEMI
Montaż:THT
Obudowa:TO92
Napięcie dren-źródło:60V
Prąd drenu:0,2A
Rezystancja w stanie przewodzenia:9?
Typ tranzystora:N-MOSFET
Moc rozpraszana:0,4W
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:taśma
Technologia:DMOS
Rodzaj kanału:wzbogacany
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu w impulsie:0,5A

szt.

2N7000-ONS

3,35 zł / szt.

Producent: ONSEMI
Symbol producenta: 552N7000-ONS
Numer katalogowy: 552N7000-ONS
Dostępność:
Ilość: 3690.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,2A; Idm: 0,5A; 0,4W; TO92

Producent:ONSEMI
Montaż:THT
Obudowa:TO92
Napięcie dren-źródło:60V
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu:0,2A
Rezystancja w stanie przewodzenia:9?
Typ tranzystora:N-MOSFET
Moc rozpraszana:0,4W
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:luzem
Cena jednostkowa:Nie
Technologia:DMOS
Rodzaj kanału:wzbogacany
Prąd drenu w impulsie:0,5A

szt.

2N7002-ONS

2,96 zł / szt.

Producent: ONSEMI
Symbol producenta: 552N7002-ONS
Numer katalogowy: 552N7002-ONS
Dostępność:
Ilość: 71461.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,2W

Producent:ONSEMI
Montaż:SMD
Obudowa:SOT23
Napięcie dren-źródło:60V
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu:0,115A
Rezystancja w stanie przewodzenia:13,5?
Typ tranzystora:N-MOSFET
Moc rozpraszana:0,2W
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:taśma
Cena jednostkowa:Nie
Rodzaj kanału:wzbogacany
Prąd drenu w impulsie:0,8A

szt.

2N7002-YAN

0,25 zł / szt.

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY
Symbol producenta: 552N7002-YAN
Numer katalogowy: 552N7002-YAN
Dostępność:
Ilość: 4850.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolarny; 60V; 0,272A

Cena jednostkowa:Nie
#Akcje #promocyjne:aac_202202
Prąd drenu:0,272A
Technologia:TRENCH POWER MV
Prąd drenu w impulsie:1,5A
Moc rozpraszana:0,35W
Napięcie bramka-źródło:±20V
Rodzaj kanału:wzbogacany
Ładunek bramki:2,4nC
Rezystancja w stanie przewodzenia:3?
Napięcie dren-źródło:60V
Polaryzacja:unipolarny
Typ tranzystora:N-MOSFET
Obudowa:SOT23
Rodzaj opakowania:taśma
Montaż:SMD
Producent:YANGJIE TECHNOLOGY

szt.

2N7002A-DIO

0,89 zł / szt.

Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Symbol producenta: 552N7002A-DIO
Numer katalogowy: 552N7002A-DIO
Dostępność:
Ilość: 51981.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET

Producent:DIOTEC SEMICONDUCTOR
Montaż:SMD
Rodzaj opakowania:taśma
Obudowa:SOT23
Typ tranzystora:N-MOSFET
Polaryzacja:unipolarny
Napięcie dren-źródło:60V
Rezystancja w stanie przewodzenia:5?
Rodzaj kanału:wzbogacany
Prąd drenu:280mA
Napięcie bramka-źródło:±30V
Moc rozpraszana:350mW
Prąd drenu w impulsie:1,2A
#Akcje #promocyjne:aac_202202
Rodzaj opakowania:rolka
Cena jednostkowa:Nie
Prąd drenu:0,28A
Moc rozpraszana:0,35W

szt.

2N7002DW-ONS

2,31 zł / szt.

Producent: ONSEMI
Symbol producenta: 552N7002DW-ONS
Numer katalogowy: 552N7002DW-ONS
Dostępność:
Ilość: 2124.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,2W

Producent:ONSEMI
Montaż:SMD
Rodzaj opakowania:taśma
Polaryzacja:unipolarny
Napięcie dren-źródło:60V
Typ tranzystora:N-MOSFET x2
Rezystancja w stanie przewodzenia:2?
Obudowa:SC70-6
Moc rozpraszana:0,2W
Rodzaj kanału:wzbogacany
Prąd drenu:0,115A
Napięcie bramka-źródło:±20V
Technologia:PowerTrench®
Prąd drenu w impulsie:0,8A
Rodzaj opakowania:rolka
Cena jednostkowa:Nie

szt.

2N7002ET1G

1,12 zł / szt.

Producent: ONSEMI
Symbol producenta: 552N7002ET1G
Numer katalogowy: 552N7002ET1G
Dostępność:
Ilość: 1943.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,22A; Idm: 1,2A; 0,42W

Producent:ONSEMI
Montaż:SMD
Rodzaj opakowania:taśma
Obudowa:SOT23
Typ tranzystora:N-MOSFET
Polaryzacja:unipolarny
Napięcie dren-źródło:60V
Rezystancja w stanie przewodzenia:1,2?
Rodzaj kanału:wzbogacany
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu:0,22A
Prąd drenu w impulsie:1,2A
Ładunek bramki:0,81nC
Moc rozpraszana:0,42W
#Akcje #promocyjne:aac_202202
Rodzaj opakowania:rolka
Cena jednostkowa:Nie

szt.

2N7002ET7G

0,89 zł / szt.

Producent: ONSEMI
Symbol producenta: 552N7002ET7G
Numer katalogowy: 552N7002ET7G
Dostępność:
Ilość: 827.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 220mA; Idm: 1,2A; 0,42W

Producent:ONSEMI
Montaż:SMD
Obudowa:SOT23
Napięcie dren-źródło:60V
Prąd drenu:0,22A
Rezystancja w stanie przewodzenia:3?
Typ tranzystora:N-MOSFET
Moc rozpraszana:0,42W
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:taśma
Ładunek bramki:0,81nC
Rodzaj kanału:wzbogacany
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu w impulsie:1,2A

szt.

2N7002K

1,99 zł / szt.

Producent: ONSEMI
Symbol producenta: 552N7002K
Numer katalogowy: 552N7002K
Dostępność:
Ilość: 5008.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23

Producent:ONSEMI
Montaż:SMD
Rodzaj opakowania:taśma
Obudowa:SOT23
Typ tranzystora:N-MOSFET
Polaryzacja:unipolarny
Napięcie dren-źródło:60V
Rezystancja w stanie przewodzenia:1,6?
Rodzaj kanału:wzbogacany
Napięcie bramka-źródło:±20V
Moc rozpraszana:420mW
Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
Prąd drenu:270mA
Prąd drenu w impulsie:5A
Ładunek bramki:700pC
#Akcje #promocyjne:aac_202202
Rodzaj opakowania:rolka
Cena jednostkowa:Nie
Prąd drenu:0,27A
Moc rozpraszana:0,42W
Ładunek bramki:0,7nC

szt.

2N7002K-R1

0,79 zł / szt.

Producent: PanJit Semiconductor
Symbol producenta: 552N7002K-R1
Numer katalogowy: 552N7002K-R1
Dostępność:
Ilość: 9055.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23

Producent:PanJit Semiconductor
Montaż:SMD
Obudowa:SOT23
Napięcie dren-źródło:60V
Prąd drenu:0,3A
Rezystancja w stanie przewodzenia:4?
Typ tranzystora:N-MOSFET
Moc rozpraszana:0,5W
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:taśma
Ładunek bramki:0,8nC
Rodzaj kanału:wzbogacany
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu w impulsie:2A

szt.

2N7002K-TP

1,50 zł / szt.

Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Symbol producenta: 552N7002K-TP
Numer katalogowy: 552N7002K-TP
Dostępność:
Ilość: 978.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET

Producent:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Typ tranzystora:N-MOSFET
Montaż:SMD
Obudowa:SOT23
Napięcie dren-źródło:60V
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu:340mA
Rezystancja w stanie przewodzenia:3?
Moc rozpraszana:350mW
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:taśma
Rodzaj kanału:wzbogacany
Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
Cena jednostkowa:Nie
Prąd drenu:0,34A
Moc rozpraszana:0,35W

szt.

2N7002KDW-AU-R1

1,75 zł / szt.

Producent: PanJit Semiconductor
Symbol producenta: 552N7002KDW-AU-R1
Numer katalogowy: 552N7002KDW-AU-R1
Dostępność:
Ilość: 3088.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW

Producent:PanJit Semiconductor
Montaż:SMD
Obudowa:SOT363
Napięcie dren-źródło:60V
Prąd drenu:0,25A
Rezystancja w stanie przewodzenia:4?
Typ tranzystora:N-MOSFET x2
Moc rozpraszana:0,35W
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:taśma
Ładunek bramki:0,8nC
Rodzaj kanału:wzbogacany
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu w impulsie:1A
Zastosowanie:branża motoryzacyjna

szt.

2N7002KDW-TP

2,60 zł / szt.

Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Symbol producenta: 552N7002KDW-TP
Numer katalogowy: 552N7002KDW-TP
Dostępność:
Ilość: 2258.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,34A; 0,3W; SOT363; ESD

Producent:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Montaż:SMD
Obudowa:SOT363
Napięcie dren-źródło:60V
Prąd drenu:0,34A
Rezystancja w stanie przewodzenia:4?
Typ tranzystora:N-MOSFET x2
Moc rozpraszana:0,3W
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:taśma
Cena jednostkowa:Nie
Wersja:ESD
Rodzaj kanału:wzbogacany
Napięcie bramka-źródło:±20V

szt.

2N7002KT7G

1,28 zł / szt.

Producent: ONSEMI
Symbol producenta: 552N7002KT7G
Numer katalogowy: 552N7002KT7G
Dostępność:
Ilość: 5375.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23

Producent:ONSEMI
Montaż:SMD
Obudowa:SOT23
Napięcie dren-źródło:60V
Prąd drenu:0,38A
Rezystancja w stanie przewodzenia:1,6?
Typ tranzystora:N-MOSFET
Moc rozpraszana:0,42W
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:taśma
Wersja:ESD
Ładunek bramki:0,7nC
Rodzaj kanału:wzbogacany
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu w impulsie:5A

szt.

2N7002KW-AU-R1

1,44 zł / szt.

Producent: PanJit Semiconductor
Symbol producenta: 552N7002KW-AU-R1
Numer katalogowy: 552N7002KW-AU-R1
Dostępność:
Ilość: 3549.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323

Producent:PanJit Semiconductor
Montaż:SMD
Obudowa:SOT323
Napięcie dren-źródło:60V
Prąd drenu:0,25A
Rezystancja w stanie przewodzenia:4?
Typ tranzystora:N-MOSFET
Moc rozpraszana:0,35W
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:taśma
Ładunek bramki:0,8nC
Rodzaj kanału:wzbogacany
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu w impulsie:1A
Zastosowanie:branża motoryzacyjna

szt.

2N7002KW-ONS

1,50 zł / szt.

Producent: ONSEMI
Symbol producenta: 552N7002KW-ONS
Numer katalogowy: 552N7002KW-ONS
Dostępność:
Ilość: 2918.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,31A; Idm: 1,2A; 0,3W; SC70

Producent:ONSEMI
Montaż:SMD
Obudowa:SC70
Napięcie dren-źródło:60V
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu:0,31A
Rezystancja w stanie przewodzenia:3?
Typ tranzystora:N-MOSFET
Moc rozpraszana:0,3W
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:taśma
Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
Rodzaj kanału:wzbogacany
Prąd drenu w impulsie:1,2A
Cena jednostkowa:Nie

szt.

2N7002KW-TP

1,50 zł / szt.

Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Symbol producenta: 552N7002KW-TP
Numer katalogowy: 552N7002KW-TP
Dostępność:
Ilość: 1890.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 340mA; 200mW; SOT323

Producent:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Montaż:SMD
Obudowa:SOT323
Napięcie dren-źródło:60V
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu:340mA
Rezystancja w stanie przewodzenia:5,3?
Typ tranzystora:N-MOSFET
Moc rozpraszana:200mW
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:taśma
Cena jednostkowa:Nie
Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
Rodzaj kanału:wzbogacany
Prąd drenu:0,34A
Moc rozpraszana:0,2W

szt.

2N7002NXAKR

1,54 zł / szt.

Producent: NEXPERIA
Symbol producenta: 552N7002NXAKR
Numer katalogowy: 552N7002NXAKR
Dostępność:
Ilość: 8657.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 120mA; Idm: 0,76A; SOT23

Producent:NEXPERIA
Montaż:SMD
Rodzaj opakowania:taśma
Obudowa:SOT23
Typ tranzystora:N-MOSFET
Polaryzacja:unipolarny
Napięcie dren-źródło:60V
Prąd drenu:120mA
Rodzaj kanału:wzbogacany
Napięcie bramka-źródło:±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia:9,2?
Prąd drenu w impulsie:0,76A
Ładunek bramki:430pC
Prąd drenu:0,12A
Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
Technologia:Trench
Moc rozpraszana:0,265W
#Akcje #promocyjne:aac_202202
Rodzaj opakowania:rolka
Cena jednostkowa:Nie
Ładunek bramki:0,43nC

szt.

2N7002NXBKR

1,38 zł / szt.

Producent: NEXPERIA
Symbol producenta: 552N7002NXBKR
Numer katalogowy: 552N7002NXBKR
Dostępność:
Ilość: 1148.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 170mA; Idm: 0,9A; SOT23

Producent:NEXPERIA
Montaż:SMD
Rodzaj opakowania:taśma
Obudowa:SOT23
Typ tranzystora:N-MOSFET
Polaryzacja:unipolarny
Napięcie dren-źródło:60V
Rodzaj kanału:wzbogacany
Napięcie bramka-źródło:±20V
Ładunek bramki:1nC
Rezystancja w stanie przewodzenia:5,7?
Prąd drenu:0,17A
Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
Technologia:Trench
Moc rozpraszana:0,31W
Prąd drenu w impulsie:0,9A
#Akcje #promocyjne:aac_202202
Rodzaj opakowania:rolka
Cena jednostkowa:Nie

szt.

2N7002PW-DIO

1,12 zł / szt.

Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Symbol producenta: 552N7002PW-DIO
Numer katalogowy: 552N7002PW-DIO
Dostępność:
Ilość: 1919.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 310mA; Idm: 1,2A; 0,26W

Producent:DIOTEC SEMICONDUCTOR
Montaż:SMD
Obudowa:SOT323
Napięcie dren-źródło:60V
Prąd drenu:0,31A
Rezystancja w stanie przewodzenia:2?
Typ tranzystora:N-MOSFET
Moc rozpraszana:0,26W
Polaryzacja:unipolarny
Rodzaj opakowania:taśma
Ładunek bramki:0,6nC
Rodzaj kanału:wzbogacany
Napięcie bramka-źródło:±20V
Prąd drenu w impulsie:1,2A

szt.

Nowości(985)

Produkty polecane(775)

Wyniki szukania: ramka

2N7000-D75Z

2N7000-ONS

2N7002-ONS

2N7002-YAN

2N7002A-DIO

2N7002DW-ONS

2N7002ET1G

2N7002ET7G

2N7002K

2N7002K-R1

2N7002K-TP

2N7002KDW-AU-R1

2N7002KDW-TP

2N7002KT7G

2N7002KW-AU-R1

2N7002KW-ONS

2N7002KW-TP

2N7002NXAKR

2N7002NXBKR

2N7002PW-DIO