Wyniki szukania: sp17

Rezystor: thick film; wysokiej mocy; SMD; 2817; 100?; 4W; ±1%

• Producent:ROYAL OHM
• Montaż:SMD
• Temperatura pracy:-55...155°C
• Typ rezystora:thick film
• Moc:4W
• Rezystancja:100?
• Tolerancja:±1%
• Napięcie pracy maks.:250V
• Napięcie impulsowe maks.:500V
• Rodzaj rezystora:wysokiej mocy
• Obudowa - mm:7142
• Obudowa - cal:2817

Rezystor: thick film; wysokiej mocy; SMD; 2817; 10?; 4W; ±1%

• Producent:ROYAL OHM
• Montaż:SMD
• Temperatura pracy:-55...155°C
• Typ rezystora:thick film
• Moc:4W
• Rezystancja:10?
• Tolerancja:±1%
• Napięcie pracy maks.:250V
• Napięcie impulsowe maks.:500V
• Rodzaj rezystora:wysokiej mocy
• Obudowa - mm:7142
• Obudowa - cal:2817

Rezystor: thick film; wysokiej mocy; SMD; 2817; 680?; 4W; ±1%

• Producent:ROYAL OHM
• Montaż:SMD
• Temperatura pracy:-55...155°C
• Typ rezystora:thick film
• Moc:4W
• Rezystancja:680?
• Tolerancja:±1%
• Napięcie pracy maks.:250V
• Napięcie impulsowe maks.:500V
• Rodzaj rezystora:wysokiej mocy
• Obudowa - mm:7142
• Obudowa - cal:2817

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -60V; -1,9A; 1,8W; PG-SOT223

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Polaryzacja:unipolarny
• Typ tranzystora:P-MOSFET
• Moc rozpraszana:1,8W
• Napięcie dren-źródło:-60V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,3?
• Prąd drenu:-1,9A
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Technologia:SIPMOS™
• Obudowa:PG-SOT223
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Cena jednostkowa:Nie

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -60V; -1,9A; 1,8W; PG-SOT223

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Polaryzacja:unipolarny
• Typ tranzystora:P-MOSFET
• Moc rozpraszana:1,8W
• Napięcie dren-źródło:-60V
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,3?
• Prąd drenu:-1,9A
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Technologia:SIPMOS™
• Obudowa:PG-SOT223
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Cena jednostkowa:Nie