KoszykTwój koszyk jest pusty ...
Strona główna » TRANZYSTOR » TRANZYSTOR SMD
PolskiAngielski
Waluta
Oferta w pliku
Pobierz cennik PDFPobierz cennik HTMLPobierz cennik XLS
Kategorie
Statystyka
  • Ilość produktów: 149947
  • Aktualnie klientów na stronie: 20
  • Sklep odwiedziło: 14770286 klientów

TRANZYSTOR SMD

2DA1201Y-7

2DA1201Y-7

2,44 zł / szt.
  • Producent: DIODES INCORPORATED
  • Symbol producenta: 552DA1201Y-7
  • Numer katalogowy: 552DA1201Y-7
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 772.00 szt.

Tranzystor: PNP; bipolarny; 120V; 800mA; 1,5W; SOT89

  • Producent:DIODES INCORPORATED
  • Montaż:SMD
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Polaryzacja:bipolarny
  • Napięcie kolektor-emiter:120V
  • Częstotliwość:160MHz
  • Prąd kolektora:800mA
  • Obudowa:SOT89
  • Typ tranzystora:PNP
  • Moc rozpraszana:1,5W
  • Wzmocnienie tranzystora:120...240
  • Rodzaj opakowania:rolka
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Prąd kolektora:0,8A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2DA1213Y-13

2DA1213Y-13

4,03 zł / szt.
  • Producent: DIODES INCORPORATED
  • Symbol producenta: 552DA1213Y-13
  • Numer katalogowy: 552DA1213Y-13
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 2266.00 szt.

Tranzystor: PNP; bipolarny; 50V; 2A; 1W; SOT89

  • Producent:DIODES INCORPORATED
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT89
  • Częstotliwość:160MHz
  • Napięcie kolektor-emiter:50V
  • Wzmocnienie tranzystora:20...240
  • Prąd kolektora:2A
  • Prąd kolektora w impulsie:2,5A
  • Typ tranzystora:PNP
  • Moc rozpraszana:1W
  • Polaryzacja:bipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Ilość w zestawie/opakowaniu:2500szt.
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N3904BK-DIO

2N3904BK-DIO

1,77 zł / szt.
  • Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 552N3904BK-DIO
  • Numer katalogowy: 552N3904BK-DIO
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 4664.00 szt.

Tranzystor: NPN; bipolarny; 40V; 0,2A; 625mW; TO92

  • Producent:DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:TO92
  • Napięcie kolektor-emiter:40V
  • Wzmocnienie tranzystora:30...300
  • Prąd kolektora:0,2A
  • Typ tranzystora:NPN
  • Moc rozpraszana:0,625W
  • Polaryzacja:bipolarny
  • Rodzaj opakowania:luzem
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002-AKS

2N7002-AKS

0,63 zł / szt.
  • Producent: AKYGA SEMI
  • Symbol producenta: 552N7002-AKS
  • Numer katalogowy: 552N7002-AKS
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 4940.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 2W; SOT23

  • Producent:AKYGA SEMI
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,115A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:13,5Ω
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:2W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:0,8A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002-ONS

2N7002-ONS

1,96 zł / szt.
  • Producent: ONSEMI
  • Symbol producenta: 552N7002-ONS
  • Numer katalogowy: 552N7002-ONS
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 64906.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,2W

  • Producent:ONSEMI
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu:0,115A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:13,5?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,2W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Prąd drenu w impulsie:0,8A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002A-DIO

2N7002A-DIO

0,89 zł / szt.
  • Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 552N7002A-DIO
  • Numer katalogowy: 552N7002A-DIO
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 42811.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET

  • Producent:DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:SMD
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Obudowa:SOT23
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:5?
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Prąd drenu:280mA
  • Napięcie bramka-źródło:±30V
  • Moc rozpraszana:350mW
  • Prąd drenu w impulsie:1,2A
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Rodzaj opakowania:rolka
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Prąd drenu:0,28A
  • Moc rozpraszana:0,35W
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002ET7G

2N7002ET7G

1,14 zł / szt.
  • Producent: ONSEMI
  • Symbol producenta: 552N7002ET7G
  • Numer katalogowy: 552N7002ET7G
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 825.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 220mA; Idm: 1,2A; 0,42W

  • Producent:ONSEMI
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,22A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:3?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,42W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Ładunek bramki:0,81nC
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:1,2A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002K

2N7002K

2,00 zł / szt.
  • Producent: ONSEMI
  • Symbol producenta: 552N7002K
  • Numer katalogowy: 552N7002K
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 1028.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23

  • Producent:ONSEMI
  • Montaż:SMD
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Obudowa:SOT23
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:1,6?
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Moc rozpraszana:420mW
  • Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
  • Prąd drenu:270mA
  • Prąd drenu w impulsie:5A
  • Ładunek bramki:700pC
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Rodzaj opakowania:rolka
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Prąd drenu:0,27A
  • Moc rozpraszana:0,42W
  • Ładunek bramki:0,7nC
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002K-AU-R1

2N7002K-AU-R1

1,06 zł / szt.
  • Producent: PanJit Semiconductor
  • Symbol producenta: 552N7002K-AU-R1
  • Numer katalogowy: 552N7002K-AU-R1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 6000.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23

  • Producent:PanJit Semiconductor
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,3A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:4?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,5W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Ładunek bramki:0,8nC
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:2A
  • Zastosowanie:branża motoryzacyjna
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002K-R1

2N7002K-R1

0,81 zł / szt.
  • Producent: PanJit Semiconductor
  • Symbol producenta: 552N7002K-R1
  • Numer katalogowy: 552N7002K-R1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 2885.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23

  • Producent:PanJit Semiconductor
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,3A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:4?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,5W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Ładunek bramki:0,8nC
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:2A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002K-TP

2N7002K-TP

1,32 zł / szt.

Tranzystor: N-MOSFET

  • Producent:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu:340mA
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:3?
  • Moc rozpraszana:350mW
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Prąd drenu:0,34A
  • Moc rozpraszana:0,35W
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002KT7G

2N7002KT7G

1,30 zł / szt.
  • Producent: ONSEMI
  • Symbol producenta: 552N7002KT7G
  • Numer katalogowy: 552N7002KT7G
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 5260.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23

  • Producent:ONSEMI
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,38A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:1,6?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,42W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Wersja:ESD
  • Ładunek bramki:0,7nC
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:5A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002KW-AU-R1

2N7002KW-AU-R1

1,44 zł / szt.
  • Producent: PanJit Semiconductor
  • Symbol producenta: 552N7002KW-AU-R1
  • Numer katalogowy: 552N7002KW-AU-R1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 3549.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323

  • Producent:PanJit Semiconductor
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT323
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,25A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:4?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,35W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Ładunek bramki:0,8nC
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:1A
  • Zastosowanie:branża motoryzacyjna
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002KW-ONS

2N7002KW-ONS

1,77 zł / szt.
  • Producent: ONSEMI
  • Symbol producenta: 552N7002KW-ONS
  • Numer katalogowy: 552N7002KW-ONS
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 2397.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,31A; Idm: 1,2A; 0,3W; SC70

  • Producent:ONSEMI
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SC70
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu:0,31A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:3?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,3W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Prąd drenu w impulsie:1,2A
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002NXAKR

2N7002NXAKR

0,57 zł / szt.
  • Producent: NEXPERIA
  • Symbol producenta: 552N7002NXAKR
  • Numer katalogowy: 552N7002NXAKR
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 4.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 120mA; Idm: 0,76A; SOT23

  • Producent:NEXPERIA
  • Montaż:SMD
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Obudowa:SOT23
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:120mA
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:9,2?
  • Prąd drenu w impulsie:0,76A
  • Ładunek bramki:430pC
  • Prąd drenu:0,12A
  • Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
  • Technologia:Trench
  • Moc rozpraszana:0,265W
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Rodzaj opakowania:rolka
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Ładunek bramki:0,43nC
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002NXBKR

2N7002NXBKR

0,73 zł / szt.
  • Producent: NEXPERIA
  • Symbol producenta: 552N7002NXBKR
  • Numer katalogowy: 552N7002NXBKR
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 2942.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 170mA; Idm: 0,9A; SOT23

  • Producent:NEXPERIA
  • Montaż:SMD
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Obudowa:SOT23
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Ładunek bramki:1nC
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:5,7?
  • Prąd drenu:0,17A
  • Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
  • Technologia:Trench
  • Moc rozpraszana:0,31W
  • Prąd drenu w impulsie:0,9A
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Rodzaj opakowania:rolka
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002PW-DIO

2N7002PW-DIO

1,21 zł / szt.
  • Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 552N7002PW-DIO
  • Numer katalogowy: 552N7002PW-DIO
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 909.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 310mA; Idm: 1,2A; 0,26W

  • Producent:DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT323
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,31A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:2?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,26W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Ładunek bramki:0,6nC
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:1,2A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002PW.115

2N7002PW.115

0,95 zł / szt.
  • Producent: NEXPERIA
  • Symbol producenta: 552N7002PW.115
  • Numer katalogowy: 552N7002PW.115
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 9665.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 240mA; Idm: 1,2A; SOT323

  • Producent:NEXPERIA
  • Montaż:SMD
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Obudowa:SOT323
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:1,6?
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:1,2A
  • Prąd drenu:240mA
  • Ładunek bramki:800pC
  • Obudowa:SC70
  • Technologia:Trench
  • Prąd drenu:0,24A
  • Moc rozpraszana:0,26W
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Rodzaj opakowania:rolka
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Ładunek bramki:0,8nC
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002T-ONS

2N7002T-ONS

3,44 zł / szt.
  • Producent: ONSEMI
  • Symbol producenta: 552N7002T-ONS
  • Numer katalogowy: 552N7002T-ONS
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 945.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,073A; Idm: 800mA; 0,2W

  • Producent:ONSEMI
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT523F
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu:0,073A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:13,5?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,2W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Prąd drenu w impulsie:800mA
  • Prąd drenu w impulsie:0,8A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2PB709ART.215

2PB709ART.215

1,06 zł / szt.
  • Producent: NEXPERIA
  • Symbol producenta: 552PB709ART.215
  • Numer katalogowy: 552PB709ART.215
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 5508.00 szt.

Tranzystor: PNP; bipolarny; 45V; 0,1A; 250mW; SOT23,TO236AB

  • Producent:NEXPERIA
  • Montaż:SMD
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Obudowa:SOT23
  • Polaryzacja:bipolarny
  • Napięcie kolektor-emiter:45V
  • Typ tranzystora:PNP
  • Moc rozpraszana:250mW
  • Prąd kolektora:0,1A
  • Wzmocnienie tranzystora:210...340
  • Rodzaj opakowania:rolka
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Moc rozpraszana:0,25W
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka

Sklep internetowy shopGold
Korzystanie z tej witryny oznacza wyrażenie zgody na wykorzystanie plików cookies. Więcej informacji możesz znaleźć w naszej Polityce Cookies.
Nie pokazuj więcej tego komunikatu