KoszykTwój koszyk jest pusty ...
Strona główna » TRANZYSTOR » TRANZYSTOR SMD

wyszukiwanie zaawansowane
PolskiAngielski
Waluta
Oferta w pliku
Pobierz cennik PDFPobierz cennik HTMLPobierz cennik XLS
Kategorie
Statystyka
  • Ilość produktów: 125540
  • Aktualnie klientów na stronie: 86
  • Sklep odwiedziło: 19243605 klientów

TRANZYSTOR SMD

Dodatkowe opcje przeglądania
Zakres cen od do
Producent
Tylko nowości
Dostępność
2302-GFS

2302-GFS

3,74 zł / szt.
  • Producent: GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 552302-GFS
  • Numer katalogowy: 552302-GFS
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 2951.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 20V; 4,5A; 1W; SOT23

  • Producent:GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:20V
  • Prąd drenu:4,5A
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:1W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Ładunek bramki:12nC
  • Technologia:Trench
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±10V
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2DA1213Y-13

2DA1213Y-13

3,51 zł / szt.
  • Producent: DIODES INCORPORATED
  • Symbol producenta: 552DA1213Y-13
  • Numer katalogowy: 552DA1213Y-13
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 183.00 szt.

Tranzystor: PNP; bipolarny; 50V; 2A; 1W; SOT89

  • Producent:DIODES INCORPORATED
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT89
  • Częstotliwość:160MHz
  • Napięcie kolektor-emiter:50V
  • Wzmocnienie tranzystora:20...240
  • Prąd kolektora:2A
  • Prąd kolektora w impulsie:2,5A
  • Typ tranzystora:PNP
  • Moc rozpraszana:1W
  • Polaryzacja:bipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Ilość w zestawie/opakowaniu:2500szt.
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2DD1664P-13

2DD1664P-13

3,78 zł / szt.
  • Producent: DIODES INCORPORATED
  • Symbol producenta: 552DD1664P-13
  • Numer katalogowy: 552DD1664P-13
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 2250.00 szt.

Tranzystor: NPN; bipolarny; 32V; 1A; 2W; SOT89

  • Producent:DIODES INCORPORATED
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT89
  • Częstotliwość:280MHz
  • Napięcie kolektor-emiter:32V
  • Wzmocnienie tranzystora:82...180
  • Prąd kolektora:1A
  • Prąd kolektora w impulsie:2A
  • Typ tranzystora:NPN
  • Zastosowanie:branża motoryzacyjna
  • Moc rozpraszana:2W
  • Polaryzacja:bipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Standardowe opakowanie producenta:2500szt.
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002-AKS

2N7002-AKS

0,55 zł / szt.
  • Producent: AKYGA SEMI
  • Symbol producenta: 552N7002-AKS
  • Numer katalogowy: 552N7002-AKS
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 51208.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 2W; SOT23

  • Producent:AKYGA SEMI
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,115A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:13,5Ω
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:2W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:0,8A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002-ONS

2N7002-ONS

1,25 zł / szt.
  • Producent: ONSEMI
  • Symbol producenta: 552N7002-ONS
  • Numer katalogowy: 552N7002-ONS
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 17757.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,2W

  • Producent:ONSEMI
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu:0,115A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:13,5?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,2W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Prąd drenu w impulsie:0,8A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002ET1G

2N7002ET1G

1,05 zł / szt.
  • Producent: ONSEMI
  • Symbol producenta: 552N7002ET1G
  • Numer katalogowy: 552N7002ET1G
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 9845.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,22A; Idm: 1,2A; 0,42W

  • Producent:ONSEMI
  • Montaż:SMD
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Obudowa:SOT23
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:1,2?
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu:0,22A
  • Prąd drenu w impulsie:1,2A
  • Ładunek bramki:0,81nC
  • Moc rozpraszana:0,42W
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Rodzaj opakowania:rolka
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002ET7G

2N7002ET7G

1,12 zł / szt.
  • Producent: ONSEMI
  • Symbol producenta: 552N7002ET7G
  • Numer katalogowy: 552N7002ET7G
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 4.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 220mA; Idm: 1,2A; 0,42W

  • Producent:ONSEMI
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,22A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:3?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,42W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Ładunek bramki:0,81nC
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:1,2A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002K

2N7002K

1,73 zł / szt.
  • Producent: ONSEMI
  • Symbol producenta: 552N7002K
  • Numer katalogowy: 552N7002K
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 2159.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23

  • Producent:ONSEMI
  • Montaż:SMD
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Obudowa:SOT23
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:1,6?
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Moc rozpraszana:420mW
  • Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
  • Prąd drenu:270mA
  • Prąd drenu w impulsie:5A
  • Ładunek bramki:700pC
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Rodzaj opakowania:rolka
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Prąd drenu:0,27A
  • Moc rozpraszana:0,42W
  • Ładunek bramki:0,7nC
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002K-R1

2N7002K-R1

0,71 zł / szt.
  • Producent: PanJit Semiconductor
  • Symbol producenta: 552N7002K-R1
  • Numer katalogowy: 552N7002K-R1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 188.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23

  • Producent:PanJit Semiconductor
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,3A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:4?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,5W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Ładunek bramki:0,8nC
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:2A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002KT7G

2N7002KT7G

1,53 zł / szt.
  • Producent: ONSEMI
  • Symbol producenta: 552N7002KT7G
  • Numer katalogowy: 552N7002KT7G
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 37.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23

  • Producent:ONSEMI
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,38A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:1,6?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,42W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Wersja:ESD
  • Ładunek bramki:0,7nC
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:5A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002KW-AU-R1

2N7002KW-AU-R1

1,33 zł / szt.
  • Producent: PanJit Semiconductor
  • Symbol producenta: 552N7002KW-AU-R1
  • Numer katalogowy: 552N7002KW-AU-R1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 3274.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323

  • Producent:PanJit Semiconductor
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT323
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,25A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:4?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,35W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Ładunek bramki:0,8nC
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:1A
  • Zastosowanie:branża motoryzacyjna
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002KW-ONS

2N7002KW-ONS

2,45 zł / szt.
  • Producent: ONSEMI
  • Symbol producenta: 552N7002KW-ONS
  • Numer katalogowy: 552N7002KW-ONS
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 2065.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,31A; Idm: 1,2A; 0,3W; SC70

  • Producent:ONSEMI
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SC70
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu:0,31A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:3?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:0,3W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Prąd drenu w impulsie:1,2A
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002KW-TP

2N7002KW-TP

1,48 zł / szt.
  • Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
  • Symbol producenta: 552N7002KW-TP
  • Numer katalogowy: 552N7002KW-TP
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 1880.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 340mA; 200mW; SOT323

  • Producent:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT323
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu:340mA
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:5,3?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:200mW
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Prąd drenu:0,34A
  • Moc rozpraszana:0,2W
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002NXBKR

2N7002NXBKR

0,62 zł / szt.
  • Producent: NEXPERIA
  • Symbol producenta: 552N7002NXBKR
  • Numer katalogowy: 552N7002NXBKR
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 2147.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 170mA; Idm: 0,9A; SOT23

  • Producent:NEXPERIA
  • Montaż:SMD
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Obudowa:SOT23
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Ładunek bramki:1nC
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:5,7?
  • Prąd drenu:0,17A
  • Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate
  • Technologia:Trench
  • Moc rozpraszana:0,31W
  • Prąd drenu w impulsie:0,9A
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Rodzaj opakowania:rolka
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002PW.115

2N7002PW.115

1,25 zł / szt.
  • Producent: NEXPERIA
  • Symbol producenta: 552N7002PW.115
  • Numer katalogowy: 552N7002PW.115
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 18905.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 240mA; Idm: 1,2A; SOT323

  • Producent:NEXPERIA
  • Montaż:SMD
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Obudowa:SOT323
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:1,6?
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:1,2A
  • Prąd drenu:240mA
  • Ładunek bramki:800pC
  • Obudowa:SC70
  • Technologia:Trench
  • Prąd drenu:0,24A
  • Moc rozpraszana:0,26W
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Rodzaj opakowania:rolka
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Ładunek bramki:0,8nC
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2N7002Q-7-F

2N7002Q-7-F

1,96 zł / szt.
  • Producent: DIODES INCORPORATED
  • Symbol producenta: 552N7002Q-7-F
  • Numer katalogowy: 552N7002Q-7-F
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 5773.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,105A; Idm: 0,8A; 0,37W

  • Producent:DIODES INCORPORATED
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT23
  • Napięcie dren-źródło:60V
  • Prąd drenu:0,105A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:7,5Ω
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Zastosowanie:branża motoryzacyjna
  • Moc rozpraszana:0,37W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Wersja:ESD
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±20V
  • Prąd drenu w impulsie:0,8A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2PB709ART.215

2PB709ART.215

0,91 zł / szt.
  • Producent: NEXPERIA
  • Symbol producenta: 552PB709ART.215
  • Numer katalogowy: 552PB709ART.215
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 5499.00 szt.

Tranzystor: PNP; bipolarny; 45V; 0,1A; 250mW; SOT23,TO236AB

  • Producent:NEXPERIA
  • Montaż:SMD
  • Rodzaj opakowania:taśma
  • Obudowa:SOT23
  • Polaryzacja:bipolarny
  • Napięcie kolektor-emiter:45V
  • Typ tranzystora:PNP
  • Moc rozpraszana:250mW
  • Prąd kolektora:0,1A
  • Wzmocnienie tranzystora:210...340
  • Rodzaj opakowania:rolka
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Moc rozpraszana:0,25W
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2SA1037AKT146Q

2SA1037AKT146Q

0,98 zł / szt.
  • Producent: ROHM SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 552SA1037AKT146Q
  • Numer katalogowy: 552SA1037AKT146Q
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 2525.00 szt.

Tranzystor: PNP; bipolarny; 50V; 0,15A; 200mW; SC59,SOT346

  • Producent:ROHM SEMICONDUCTOR
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SC59
  • Częstotliwość:140MHz
  • Napięcie kolektor-emiter:50V
  • Wzmocnienie tranzystora:120...270
  • Prąd kolektora:0,15A
  • Typ tranzystora:PNP
  • Moc rozpraszana:0,2W
  • Polaryzacja:bipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2SA1037AKT146R

2SA1037AKT146R

1,46 zł / szt.
  • Producent: ROHM SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 552SA1037AKT146R
  • Numer katalogowy: 552SA1037AKT146R
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 2414.00 szt.

Tranzystor: PNP; bipolarny; 50V; 0,15A; 200mW; SC59,SOT346

  • Producent:ROHM SEMICONDUCTOR
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SC59
  • Częstotliwość:140MHz
  • Napięcie kolektor-emiter:50V
  • Wzmocnienie tranzystora:180...390
  • Prąd kolektora:0,15A
  • Typ tranzystora:PNP
  • Moc rozpraszana:0,2W
  • Polaryzacja:bipolarny
  • Rodzaj opakowania:taśma
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
2SA1201-LGE

2SA1201-LGE

3,00 zł / szt.
  • Producent: LUGUANG ELECTRONIC
  • Symbol producenta: 552SA1201-LGE
  • Numer katalogowy: 552SA1201-LGE
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 4537.00 szt.

Tranzystor: PNP; bipolarny; 120V; 800mA; 500mW; SOT89

  • Producent:LUGUANG ELECTRONIC
  • Montaż:SMD
  • Obudowa:SOT89
  • Częstotliwość:120MHz
  • Napięcie kolektor-emiter:120V
  • Wzmocnienie tranzystora:80...240
  • Prąd kolektora:0,8A
  • Typ tranzystora:PNP
  • Moc rozpraszana:0,5W
  • Polaryzacja:bipolarny
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka

Sklep internetowy shopGold
Korzystanie z tej witryny oznacza wyrażenie zgody na wykorzystanie plików cookies. Więcej informacji możesz znaleźć w naszej Polityce Cookies.
Nie pokazuj więcej tego komunikatu