Wyniki szukania: 120p

Akcesoria: osłona; SB® 120

• Producent:ANDERSON POWER PRODUCTS
• Seria złącza:SB® 120
• Typ akcesoriów do złączy:osłona

Złącze: zasilające AC; gniazdo; męskie; 4A; 250VAC; IEC 60320; 5120

• Producent:SCHURTER
• Typ złącza:zasilające AC
• Złącze:gniazdo
• Rodzaj złącza:męskie
• Napięcie znamionowe:250V AC
• Grubość panelu:max. 2mm
• Temperatura pracy:-25...85°C
• Prąd znamionowy:4A
• Klasa palności:UL94V-0
• Seria złącza:5120
• Wersja złącza:C14 (E)
• Montaż elektryczny:konektory 6,3x0,8mm
• Montaż mechaniczny:snap-in
• #Akcje #promocyjne:maintenance_202308
• Informacje dodatkowe:więcej produktów z tej serii dostępne na www.tme.eu
• Standard:IEC 60320
• Budowa:filtr

Dioda: prostownicza Schottky

• Producent:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
• Typ diody:prostownicza Schottky
• Obudowa:SOD323
• Pojemność:120pF
• Napięcie wsteczne maks.:60V
• Napięcie przewodzenia maks.:700mV
• Prąd przewodzenia:1A
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Prąd w impulsie maks.:10A
• Prąd upływu:100µA
• Rodzaj opakowania:taśma
• Montaż:SMD
• Napięcie przewodzenia maks.:0,7V
• Cena jednostkowa:Nie
• Prąd upływu:0,1mA

Kondensator: polipropylenowy; DC-Link; 12uF; ESR: 6,9m?; THT; ±5%

• Producent:KEMET
• Montaż:THT
• Wytrzymałość impulsowa:35V/µs
• Raster wyprowadzeń:37,5mm
• Typ kondensatora:polipropylenowy
• Pojemność:12µF
• Rodzaj kondensatora:DC-Link
• Kategoria klimatyczna:55/105/56 IEC 60068-1
• Zgodność z normą:AEC-Q200
• Napięcie pracy maks.:900V DC
• Wymiary korpusu:42x40x20mm
• Tolerancja:±5%
• Temperatura pracy:-55...125°C
• Rezystancja ESR:6,9m?
• Prąd pracy maks.:14,4A
• Seria producenta:C4AQ-P
• Kategoria klimatyczna:IEC 60068-1
• Zgodność z normą:AEC Q200

Kondensator: ceramiczny; 120pF; 50V; ±10%; THT; 2,54mm

• Producent:SR PASSIVES
• Montaż:THT
• Raster wyprowadzeń:2,54mm
• Temperatura pracy:-25...85°C
• Tolerancja:±10%
• Typ kondensatora:ceramiczny
• Pojemność:120pF
• Napięcie pracy:50V

Dioda: prostownicza; SMD; 1,2kV; 1A; 85ns; 1F (DO214AC); Ufmax: 3V

• Producent:SHINDENGEN
• Montaż:SMD
• Obudowa:1F (DO214AC)
• Napięcie wsteczne maks.:1,2kV
• Napięcie przewodzenia maks.:3V
• Prąd przewodzenia:1A
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Czas gotowości:85ns
• Prąd w impulsie maks.:18A
• Prąd upływu:10µA
• Rodzaj opakowania:tuba
• Cena jednostkowa:Nie
• Typ diody:prostownicza
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:szybkie przełączanie

Dioda: prostownicza Schottky; SMD; 60V; 1,5A; rolka,taśma

• Producent:SHINDENGEN
• Typ diody:prostownicza Schottky
• Cena jednostkowa:Nie
• Napięcie przewodzenia maks.:580mV
• Prąd w impulsie maks.:60A
• Prąd upływu:2mA
• Pojemność:120pF
• Napięcie wsteczne maks.:60V
• Prąd przewodzenia:1,5A
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:rolka
• Rodzaj opakowania:taśma
• Napięcie przewodzenia maks.:0,58V

Dioda: prostownicza; THT; 1,2kV; 2x30A; tuba; Ifsm: 200A; TO247AD

Dioda: prostownicza; THT; 1,2kV; 2x30A; Opakowanie: tuba; TO247AD

• Producent:SIRECTIFIER
• Montaż:THT
• Typ diody:prostownicza
• Czas gotowości:40ns
• Obudowa:TO247AD
• Prąd w impulsie maks.:200A
• Napięcie wsteczne maks.:1,2kV
• Prąd przewodzenia maks.:60A
• Rodzaj opakowania:tuba
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:ultraszybkie przełączanie
• Struktura półprzewodnika:wspólna katoda
• Napięcie przewodzenia maks.:1,78V
• Prąd przewodzenia:2x 30A
• Moc rozpraszana:165W
• Prąd przewodzenia:30A x2
• Cena jednostkowa:Nie
• Struktura półprzewodnika:podwójna

Dioda: prostownicza Schottky; THT; 200V; 5A; DO201AD; Ufmax: 900mV

• Producent:NTE Electronics
• Montaż:THT
• Pojemność:120pF
• Typ diody:prostownicza Schottky
• Napięcie wsteczne maks.:200V
• Obudowa:DO201AD
• Prąd przewodzenia:5A
• Prąd w impulsie maks.:150A
• Napięcie przewodzenia maks.:900mV
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Cena jednostkowa:Nie
• Napięcie przewodzenia maks.:0,9V

Dioda: prostownicza; THT; 1,2kV; 2x15A; Opakowanie: tuba; TO247AD

• Producent:SIRECTIFIER
• Montaż:THT
• Obudowa:TO247AD
• Napięcie wsteczne maks.:1,2kV
• Prąd przewodzenia maks.:30A
• Napięcie przewodzenia maks.:2,6V
• Prąd przewodzenia:15A x2
• Struktura półprzewodnika:wspólna katoda
• Czas gotowości:70ns
• Prąd w impulsie maks.:75A
• Rodzaj opakowania:tuba
• Typ diody:prostownicza
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:ultraszybkie przełączanie
• Cena jednostkowa:Nie
• Struktura półprzewodnika:podwójna

Dioda: prostownicza Schottky; SMD; 60V; 4,2A; 12ns; SOD128,CFP5

• Producent:NEXPERIA
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Pojemność:120pF
• Napięcie wsteczne maks.:60V
• Typ diody:prostownicza Schottky
• Prąd w impulsie maks.:50A
• Czas gotowości:12ns
• Obudowa:SOD128
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Napięcie przewodzenia maks.:0,45V
• Prąd przewodzenia:4,2A
• Prąd upływu:150mA
• Cena jednostkowa:Nie
• Obudowa:CFP5
• Rodzaj opakowania:rolka

Dioda: prostownicza Schottky; SMD; 200V; 4A; DO214AA

• Producent:VISHAY
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Pojemność:120pF
• Typ diody:prostownicza Schottky
• Napięcie wsteczne maks.:200V
• Obudowa:DO214AA
• Prąd przewodzenia:4A
• Prąd w impulsie maks.:40A
• Napięcie przewodzenia maks.:1,9V
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Obudowa:SMB
• Cena jednostkowa:Nie
• Rodzaj opakowania:rolka
• Rodzaj opakowania:rolka 7 cali
• Ilość w zestawie/opakowaniu:750szt.

Dioda: Zenera; 0,8W; 120V; SMD; rolka,taśma; DO219AB

• Producent:VISHAY
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Typ diody:Zenera
• Napięcie Zenera:120V
• Obudowa:DO219AB
• Moc rozpraszana:0,8W
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Tolerancja:±5%
• Moc rozpraszana:2,3W
• Obudowa:SMF
• Cena jednostkowa:Nie
• Seria producenta:BZD27C
• Rodzaj opakowania:rolka
• Rodzaj opakowania:rolka 7 cali
• Ilość w zestawie/opakowaniu:3000szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 90A; Idm: 231A; 465W

• Producent:EVERLIGHT
• Montaż:THT
• Obudowa:TO247-4
• Napięcie dren-źródło:1,2kV
• Prąd drenu:90A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:50m?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:465W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:tuba
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:wyprowadzenie Kelvina
• Ładunek bramki:0,22µC
• Technologia:SiC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:-4...18V
• Prąd drenu w impulsie:231A

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 171A; 454W

• Producent:EVERLIGHT
• Montaż:THT
• Obudowa:TO247-4
• Napięcie dren-źródło:1,2kV
• Prąd drenu:39A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,1?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:454W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:tuba
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:wyprowadzenie Kelvina
• Ładunek bramki:115nC
• Technologia:SiC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:-4...18V
• Prąd drenu w impulsie:171A

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 171A; 454W

• Producent:EVERLIGHT
• Montaż:THT
• Obudowa:TO247-4-TSC
• Napięcie dren-źródło:1,2kV
• Prąd drenu:39A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,1?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:454W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:tuba
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:wyprowadzenie Kelvina
• Ładunek bramki:115nC
• Technologia:SiC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:-4...18V
• Prąd drenu w impulsie:171A

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 171A; 454W

• Producent:EVERLIGHT
• Montaż:THT
• Obudowa:TO247-3
• Napięcie dren-źródło:1,2kV
• Prąd drenu:39A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,1?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:454W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:tuba
• Ładunek bramki:115nC
• Technologia:SiC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:-4...18V
• Prąd drenu w impulsie:171A

Dioda: prostownicza; THT; 1,2kV; 2x15A; Opakowanie: tuba; TO247AD

• Producent:SIRECTIFIER
• Montaż:THT
• Obudowa:TO247AD
• Napięcie wsteczne maks.:1,2kV
• Prąd przewodzenia maks.:30A
• Napięcie przewodzenia maks.:1,79V
• Prąd przewodzenia:15A x2
• Struktura półprzewodnika:wspólna katoda
• Czas gotowości:40ns
• Prąd w impulsie maks.:90A
• Moc rozpraszana:95W
• Rodzaj opakowania:tuba
• Typ diody:prostownicza
• Właściwości elementów półprzewodnikowych:ultraszybkie przełączanie