Wyniki szukania: 7r5

Drabinka rezystorowa: Y; 7,5Ω SMD; 0804; Il.rezystorów: 4; 63mW

• Producent:YAGEO
• Rezystancja:7,5?
• Montaż:SMD
• Współczynnik temperaturowy:200ppm/°C
• Napięcie pracy maks.:50V
• Napięcie impulsowe maks.:100V
• Ilość rezystorów:4
• Typ drabinki rezystorowej:Y
• Właściwości rezystorów:oddzielne wyprowadzenie rezystorów
• Moc:63mW
• Raster wyprowadzeń:0,5mm
• Obudowa - cal:0804
• Wymiary korpusu:2x1x0,45mm
• Temperatura pracy:-55...155°C
• Tolerancja:±5%
• Moc:62,5mW

Rezystor: thick film; 0603; 47,5Ω 100mW; ±1%; 100ppm/°C

• Producent:PANASONIC
• Typ rezystora:thick film
• Moc:0,1W
• Rezystancja:47,5?
• Tolerancja:±1%
• Współczynnik temperaturowy:100ppm/°C
• Zgodność z normą:AEC Q200
• Obudowa - mm:1608
• Obudowa - cal:0603

Rezystor: thick film; 0603; 7,5Ω 100mW; ±5%; 600ppm/°C

• Producent:PANASONIC
• Typ rezystora:thick film
• Moc:0,1W
• Rezystancja:7,5?
• Tolerancja:±5%
• Współczynnik temperaturowy:600ppm/°C
• Zgodność z normą:AEC Q200
• Obudowa - mm:1608
• Obudowa - cal:0603

Rezystor: metal oxide; THT; 7,5?; 3W; ±5%; O0,8x28mm; O5,5x16mm

• Producent:ROYALOHM
• Montaż:THT
• Typ rezystora:metal oxide
• Moc:3W
• Rezystancja:7,5?
• Tolerancja:±5%
• Wymiary korpusu:O5,5x16mm
• Wymiary wyprowadzeń:O0,8x28mm
• Napięcie pracy maks.:350V
• Napięcie impulsowe maks.:600V
• Właściwości rezystorów:stabilność w zmiennych warunkach środowiskowych
• Wyprowadzenia:osiowe

Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 75V; 72A; Idm: 288A; 217W

• Producent:SHINDENGEN
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:75V
• Prąd drenu:72A
• Ładunek bramki:100nC
• Rezystancja w stanie przewodzenia:5,8m?
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Moc rozpraszana:217W
• Prąd drenu w impulsie:288A
• Obudowa:LF (MO235B similar)
• Technologia:EETMOS3
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Rodzaj opakowania:rolka
• Cena jednostkowa:Nie
• Ładunek bramki:0,1µC

Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 70V; 80A; Idm: 320A; 128W

• Producent:SHINDENGEN
• Montaż:SMD
• Rodzaj opakowania:taśma
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:70V
• Prąd drenu:80A
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Ładunek bramki:67nC
• Rezystancja w stanie przewodzenia:6,4m?
• Prąd drenu w impulsie:320A
• Moc rozpraszana:128W
• Obudowa:FG (TO263AB)
• Technologia:EETMOS2
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Rodzaj opakowania:rolka
• Cena jednostkowa:Nie

Rezystor: thick film; 0603; 47,5?; 100mW; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

• Producent:VISHAY
• Temperatura pracy:-55...155°C
• Typ rezystora:thick film
• Moc:0,1W
• Rezystancja:47,5?
• Tolerancja:±1%
• Współczynnik temperaturowy:100ppm/°C
• Napięcie pracy maks.:75V
• Zgodność z normą:AEC Q200
• Obudowa - mm:1608
• Obudowa - cal:0603

Rezystor: metal oxide; THT; 7,5?; 2W; ±5%; O0,7x28mm; O5x12mm

• Producent:ROYALOHM
• Montaż:THT
• Typ rezystora:metal oxide
• Moc:2W
• Rezystancja:7,5?
• Tolerancja:±5%
• Wymiary korpusu:O5x12mm
• Wymiary wyprowadzeń:O0,7x28mm
• Napięcie pracy maks.:350V
• Właściwości rezystorów:stabilność w zmiennych warunkach środowiskowych
• Wyprowadzenia:osiowe
• Właściwości rezystorów:obudowa odporna na wysoką temperaturę

Rezystor: węglowy; THT; 7,5Ω 0,25W; ±5%; O2,3x6mm; osiowe

• Producent:SR PASSIVES
• Napięcie impulsowe maks.:500V
• Napięcie pracy maks.:250V
• Moc:0,25W
• Typ rezystora:węglowy
• Montaż:THT
• Wyprowadzenia:osiowe
• Rezystancja:7,5?
• Wymiary korpusu:O2,3x6mm
• Wymiary wyprowadzeń:O0,4x28mm
• Tolerancja:±5%

Rezystor: metal film; THT; 47,5Ω 0,6W; ±1%; O2,4x6,3mm; 50ppm/°C

• Producent:YAGEO
• Montaż:THT
• Wyprowadzenia:osiowe
• Typ rezystora:metal film
• Moc:0,6W
• Współczynnik temperaturowy:50ppm/°C
• Rezystancja:47,5?
• Napięcie pracy maks.:350V
• Wymiary korpusu:O2,4x6,3mm
• Wymiary wyprowadzeń:O0,55x28mm
• Tolerancja:±1%

Rezystor: power metal; THT; 7,5?; 2W; ±5%; O0,75x25mm; O4x11mm

• Producent:ROYALOHM
• Montaż:THT
• Typ rezystora:power metal
• Moc:2W
• Rezystancja:7,5?
• Tolerancja:±5%
• Wymiary korpusu:O4x11mm
• Wymiary wyprowadzeń:O0,75x25mm
• Współczynnik temperaturowy:350ppm/°C
• Napięcie pracy maks.:500V
• Właściwości rezystorów:wysoka moc przy małych wymiarach
• Wyprowadzenia:osiowe

Rezystor: power metal; THT; 7,5Ω 1W; ±5%; O2,5x8mm; 250ppm/°C

• Producent:VISHAY
• Montaż:THT
• Wyprowadzenia:osiowe
• Rezystancja:7,5?
• Napięcie pracy maks.:350V
• Moc:1W
• Typ rezystora:power metal
• Właściwości rezystorów:wysoka moc przy małych wymiarach
• Współczynnik temperaturowy:250ppm/°C
• Wymiary korpusu:O2,5x8mm
• Tolerancja:±5%
• Moc:0,6W