Wyniki szukania: r220

Dioda: prostownicza; THT; 2,2kV; 30A; tuba; Ifsm: 370A; TO262AA

• Producent:IXYS
• Montaż:THT
• Typ diody:prostownicza
• Prąd przewodzenia:30A
• Prąd w impulsie maks.:370A
• Napięcie wsteczne maks.:2,2kV
• Rodzaj opakowania:tuba
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Obudowa:TO262AA
• Cena jednostkowa:Nie

Dioda: prostownicza Schottky; THT; 20V; 2A; DO15; Opakowanie: taśma

• Producent:YANGJIE TECHNOLOGY
• Montaż:THT
• Rodzaj opakowania:taśma
• Obudowa:DO15
• Typ diody:prostownicza Schottky
• Prąd przewodzenia:2A
• Prąd w impulsie maks.:50A
• Napięcie wsteczne maks.:20V
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Napięcie przewodzenia maks.:0,55V
• Cena jednostkowa:Nie

Dławik: drutowy; THT; 2,7mH; 2,2A; 110mΩ 250VAC; -25÷120°C

• Producent:KEMET
• Montaż:THT
• Napięcie pracy:250V AC
• Typ dławika:drutowy
• Rezystancja:110m?
• Prąd pracy:2,2A
• Indukcyjność:2,7mH
• Rodzaj dławika:z kompensacją
• Temperatura pracy:-25...120°C
• Rezystancja:0,11?

Dławik: drutowy; SMD; 100uH; 2,2A; ±10%; Q: 18; O: 22mm; H: 7mm; 168mΩ

• Producent:BOURNS
• Montaż:SMD
• Wysokość:7mm
• Indukcyjność:100µH
• Typ dławika:drutowy
• Średnica:22mm
• Prąd pracy:2,2A
• Dobroć:18
• Rezystancja cewki:168m?
• Częstotliwość rezonansowa:6,2MHz
• Tolerancja:±10%
• Indukcyjność:0,1mH

Drabinka rezystorowa: Y; THT; 220?; ±2%; 0,2W; Il.rezystorów: 4

• Producent:ROYALOHM
• Montaż:THT
• Raster wyprowadzeń:2,54mm
• Temperatura pracy:-55...125°C
• Moc:0,2W
• Rezystancja:220?
• Tolerancja:±2%
• Napięcie pracy maks.:100V
• Właściwości rezystorów:oddzielne wyprowadzenie rezystorów
• Typ drabinki rezystorowej:Y
• Ilość rezystorów:4

Drabinka rezystorowa: X; THT; 220?; ±2%; 0,125W; Il.rezystorów: 5

• Producent:ROYALOHM
• Montaż:THT
• Raster wyprowadzeń:2,54mm
• Temperatura pracy:-55...125°C
• Moc:0,125W
• Rezystancja:220?
• Tolerancja:±2%
• Napięcie pracy maks.:100V
• Właściwości rezystorów:jeden pin rezystorów na wspólnym wyprowadzeniu
• Typ drabinki rezystorowej:X
• Ilość rezystorów:5

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK

• Producent:VISHAY
• Montaż:SMD
• Obudowa:DPAK
• Napięcie dren-źródło:200V
• Napięcie bramka-źródło:±20V
• Prąd drenu:3A
• Rezystancja w stanie przewodzenia:800m?
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Moc rozpraszana:42W
• Polaryzacja:unipolarny
• Rodzaj opakowania:taśma
• Ładunek bramki:14nC
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Prąd drenu w impulsie:19A
• Cena jednostkowa:Nie
• #Akcje #promocyjne:aac_202202
• Rezystancja w stanie przewodzenia:0,8?

Kondensator: elektrolityczny; 2200uF; 450VDC; O63,5x95mm; ±20%

• Producent:SAMXON
• Czas życia:2000h
• Typ kondensatora:elektrolityczny
• Pojemność:2200µF
• Mocowanie:śruba M12
• Wyprowadzenia:śrubowe
• Napięcie pracy:450V DC
• Wymiary korpusu:O63,5x95mm
• Temperatura pracy:-40...85°C
• Tolerancja:±20%
• Pojemność:2,2mF

Dioda: prostownicza Schottky; THT; 200V; 2A; DO15; Ammo Pack

• Producent:PanJit Semiconductor
• Montaż:THT
• Obudowa:DO15
• Napięcie wsteczne maks.:200V
• Prąd przewodzenia maks.:50A
• Napięcie przewodzenia maks.:0,9V
• Prąd przewodzenia:2A
• Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
• Prąd upływu:20mA
• Rodzaj opakowania:Ammo Pack
• Typ diody:prostownicza Schottky
• Prąd w impulsie maks.:50A

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 5A; 43W; DPAK

• Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
• Montaż:SMD
• Obudowa:DPAK
• Typ tranzystora:N-MOSFET
• Polaryzacja:unipolarny
• Napięcie dren-źródło:200V
• Prąd drenu:5A
• Rodzaj opakowania:rolka
• Rodzaj kanału:wzbogacany
• Technologia:HEXFET®
• Moc rozpraszana:43W
• Cena jednostkowa:Nie

Rezystor: metal strip; bocznik prądowy,pomiarowy; SMD; 2512; 2W

• Producent:VISHAY
• Montaż:SMD
• Temperatura pracy:-65...170°C
• Typ rezystora:metal strip
• Moc:2W
• Rezystancja:0,22?
• Tolerancja:±1%
• Rodzaj rezystora:pomiarowy
• Obudowa - mm:6432
• Obudowa - cal:2512