KoszykTwój koszyk jest pusty ...
Strona główna » Wyniki szukania
PolskiAngielski
Waluta
Oferta w pliku
Pobierz cennik PDFPobierz cennik HTMLPobierz cennik XLS
Kategorie
Statystyka
  • Ilość produktów: 160111
  • Aktualnie klientów na stronie: 36
  • Sklep odwiedziło: 5101620 klientów

Wyniki szukania: to247

Znaleziono produktów:911

Szukaj dokładnie wpisany tekst:tak

Szukaj w numerach katalogowych:tak

Szukaj w kodach producenta:tak

Szukaj w opisach produktów:tak

30CPQ060-SMC

30CPQ060-SMC

11,27 zł / szt.
  • Producent: SMC DIODE SOLUTIONS
  • Symbol producenta: 5530CPQ060-SMC
  • Numer katalogowy: 5530CPQ060-SMC
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 217.00 szt.

Dioda: prostownicza Schottky; THT; 60V; 30A; TO247AD; tuba

  • Producent:SMC DIODE SOLUTIONS
  • Montaż:THT
  • Obudowa:TO247AD
  • Pojemność:1nF
  • Napięcie wsteczne maks.:60V
  • Napięcie przewodzenia maks.:0,8V
  • Prąd przewodzenia:30A
  • Struktura półprzewodnika:wspólna katoda
  • Prąd w impulsie maks.:315A
  • Prąd upływu:0,8mA
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Typ diody:prostownicza Schottky
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
AIGW40N65H5XKSA1

AIGW40N65H5XKSA1

55,04 zł / szt.
  • Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
  • Symbol producenta: 55AIGW40N65H5XKSA1
  • Numer katalogowy: 55AIGW40N65H5XKSA1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 178.00 szt.

Tranzystor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; Seria: H5

  • Producent:INFINEON TECHNOLOGIES
  • Montaż:THT
  • Typ tranzystora:IGBT
  • Prąd kolektora w impulsie:120A
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Napięcie kolektor-emiter:650V
  • Ładunek bramki:92nC
  • Obudowa:TO247-3
  • Technologia:TRENCHSTOP™ 5
  • Seria:H5
  • Czas załączania:31ns
  • Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor
  • Napięcie bramka - emiter:±20V
  • Czas wyłączania:160ns
  • Moc rozpraszana:125W
  • Prąd kolektora:46A
  • Seria producenta:H5
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
AOK20B65M2

AOK20B65M2

26,81 zł / szt.

Tranzystor: IGBT; 650V; 20A; 114W; TO247; Ewył: 0,28mJ; Ezał: 0,58mJ

  • Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Obudowa:TO247
  • Napięcie kolektor-emiter:650V
  • Napięcie bramka - emiter:±30V
  • Napięcie nasycenia kol.-emit.:1,7V
  • Prąd kolektora:20A
  • Prąd kolektora w impulsie:60A
  • Czas załączania:59ns
  • Czas wyłączania:178ns
  • Typ tranzystora:IGBT
  • Moc rozpraszana:114W
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Ładunek bramki:46nC
  • Energia załączenia:0,58mJ
  • Energia wyłączenia:0,28mJ
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
AOK40B120H1

AOK40B120H1

30,97 zł / szt.
  • Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55AOK40B120H1
  • Numer katalogowy: 55AOK40B120H1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 194.00 szt.

Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 40A; 250W; TO247; Ewył: 1,24mJ; Ezał: 2,45mJ

  • Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Obudowa:TO247
  • Napięcie kolektor-emiter:1,2kV
  • Prąd kolektora:40A
  • Typ tranzystora:IGBT
  • Prąd kolektora w impulsie:120A
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Napięcie bramka - emiter:±30V
  • Czas wyłączania:375ns
  • Moc rozpraszana:250W
  • Ładunek bramki:128nC
  • Czas załączania:133ns
  • Napięcie nasycenia kol.-emit.:1,8V
  • Energia załączenia:2,45mJ
  • Energia wyłączenia:1,24mJ
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
AOM065V120X2

AOM065V120X2

118,03 zł / szt.
  • Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55AOM065V120X2
  • Numer katalogowy: 55AOM065V120X2
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 240.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 29,6A; Idm: 85A

  • Producent:ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Obudowa:TO247-4
  • Napięcie dren-źródło:1,2kV
  • Prąd drenu:29,6A
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:90m?
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Moc rozpraszana:187,5W
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Ładunek bramki:62,3nC
  • Technologia:SiC
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:-5...15V
  • Prąd drenu w impulsie:85A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
APT14F100B

APT14F100B

76,90 zł / szt.
  • Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
  • Symbol producenta: 55APT14F100B
  • Numer katalogowy: 55APT14F100B
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 9.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 14A; 500W; TO247

  • Producent:MICROCHIP (MICROSEMI)
  • Montaż:THT
  • Obudowa:TO247
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Prąd drenu:14A
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Ładunek bramki:120nC
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Napięcie bramka-źródło:±30V
  • Napięcie dren-źródło:1000V
  • Technologia:POWER MOS 8®
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:980m?
  • Moc rozpraszana:500W
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Napięcie dren-źródło:1kV
  • Ładunek bramki:0,12µC
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
APT50GN60BG

APT50GN60BG

61,61 zł / szt.
  • Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
  • Symbol producenta: 55APT50GN60BG
  • Numer katalogowy: 55APT50GN60BG
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 100.00 szt.

Tranzystor: IGBT; 600V; 64A; 366W; TO247-3

  • Producent:MICROCHIP (MICROSEMI)
  • Montaż:THT
  • Napięcie kolektor-emiter:600V
  • Typ tranzystora:IGBT
  • Czas załączania:45ns
  • Czas wyłączania:400ns
  • Prąd kolektora w impulsie:150A
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Obudowa:TO247-3
  • Prąd kolektora:64A
  • Napięcie bramka - emiter:±30V
  • Ładunek bramki:325nC
  • Moc rozpraszana:366W
  • #Akcje #promocyjne:aac_202202
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Czas wyłączania:0,4µs
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B1D10065H

B1D10065H

16,15 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B1D10065H
  • Numer katalogowy: 55B1D10065H
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 3.00 szt.

Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Typ diody:prostownicza Schottky
  • Prąd przewodzenia:10A
  • Napięcie wsteczne maks.:650V
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Prąd upływu:20µA
  • Technologia:SiC
  • Obudowa:TO247-2
  • Napięcie przewodzenia maks.:1,75V
  • Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
  • Prąd w impulsie maks.:75A
  • Moc rozpraszana:68W
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B1D16065HC

B1D16065HC

26,95 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B1D16065HC
  • Numer katalogowy: 55B1D16065HC
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 19.00 szt.

Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 650V; 8Ax2; 73W; TO247-3

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Typ diody:prostownicza Schottky
  • Prąd przewodzenia maks.:16A
  • Napięcie wsteczne maks.:650V
  • Prąd w impulsie maks.:60A
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Struktura półprzewodnika:wspólna katoda
  • Prąd upływu:10µA
  • Obudowa:TO247-3
  • Technologia:SiC
  • Moc rozpraszana:73W
  • Napięcie przewodzenia maks.:1,75V
  • Prąd przewodzenia:8A x2
  • Struktura półprzewodnika:podwójna
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B1D20065HC

B1D20065HC

37,50 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B1D20065HC
  • Numer katalogowy: 55B1D20065HC
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 29.00 szt.

Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tuba

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Typ diody:prostownicza Schottky
  • Prąd przewodzenia maks.:20A
  • Napięcie wsteczne maks.:650V
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Struktura półprzewodnika:wspólna katoda
  • Obudowa:TO247-3
  • Technologia:SiC
  • Zastosowanie:branża motoryzacyjna
  • Prąd przewodzenia:10A x2
  • Struktura półprzewodnika:podwójna
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B1D40065H

B1D40065H

64,10 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B1D40065H
  • Numer katalogowy: 55B1D40065H
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 17.00 szt.

Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 650V; 40A; 185W; TO247-2

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Typ diody:prostownicza Schottky
  • Prąd przewodzenia:40A
  • Napięcie wsteczne maks.:650V
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Prąd upływu:20µA
  • Technologia:SiC
  • Napięcie przewodzenia maks.:1,62V
  • Obudowa:TO247-2
  • Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
  • Prąd w impulsie maks.:310A
  • Moc rozpraszana:185W
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B1M080120HC

B1M080120HC

158,42 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B1M080120HC
  • Numer katalogowy: 55B1M080120HC
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 40.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 44A; TO247-3

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:80m?
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Prąd drenu:44A
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Obudowa:TO247-3
  • Technologia:SiC
  • Napięcie dren-źródło:1,2kV
  • Ładunek bramki:149nC
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Napięcie bramka-źródło:-5...20V
  • Prąd drenu:27A
  • Moc rozpraszana:241W
  • Prąd drenu w impulsie:80A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B1M080120HK

B1M080120HK

158,42 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B1M080120HK
  • Numer katalogowy: 55B1M080120HK
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 13.00 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 44A; TO247-4

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Typ tranzystora:N-MOSFET
  • Polaryzacja:unipolarny
  • Rezystancja w stanie przewodzenia:80m?
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Prąd drenu:44A
  • Rodzaj kanału:wzbogacany
  • Technologia:SiC
  • Napięcie dren-źródło:1,2kV
  • Obudowa:TO247-4
  • Ładunek bramki:149nC
  • Właściwości elementów półprzewodnikowych:wyprowadzenie Kelvina
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Napięcie bramka-źródło:-5...20V
  • Prąd drenu:27A
  • Moc rozpraszana:241W
  • Prąd drenu w impulsie:80A
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B2D10120H1

B2D10120H1

21,37 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B2D10120H1
  • Numer katalogowy: 55B2D10120H1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 50.00 szt.

Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10A; 62W; TO247-2

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Typ diody:prostownicza Schottky
  • Prąd przewodzenia:10A
  • Napięcie wsteczne maks.:1,2kV
  • Prąd w impulsie maks.:90A
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Technologia:SiC
  • Obudowa:TO247-2
  • Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
  • Napięcie przewodzenia maks.:2V
  • Prąd upływu:30µA
  • Moc rozpraszana:62W
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B2D10120HC1

B2D10120HC1

20,21 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B2D10120HC1
  • Numer katalogowy: 55B2D10120HC1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 22.00 szt.

Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 5Ax2; 64W; TO247-3

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Typ diody:prostownicza Schottky
  • Napięcie wsteczne maks.:1,2kV
  • Prąd przewodzenia maks.:10A
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Struktura półprzewodnika:wspólna katoda
  • Prąd upływu:20µA
  • Obudowa:TO247-3
  • Technologia:SiC
  • Napięcie przewodzenia maks.:1,8V
  • Prąd w impulsie maks.:55A
  • Moc rozpraszana:64W
  • Prąd przewodzenia:5A x2
  • Struktura półprzewodnika:podwójna
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B2D15120H1

B2D15120H1

43,31 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B2D15120H1
  • Numer katalogowy: 55B2D15120H1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 26.00 szt.

Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 15A; TO247-2; tuba

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Obudowa:TO247-2
  • Napięcie wsteczne maks.:1,2kV
  • Prąd przewodzenia:15A
  • Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Typ diody:prostownicza Schottky
  • Technologia:SiC
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B2D16065HC1

B2D16065HC1

30,76 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B2D16065HC1
  • Numer katalogowy: 55B2D16065HC1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 30.00 szt.

Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tuba

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Obudowa:TO247-3
  • Napięcie wsteczne maks.:650V
  • Prąd przewodzenia maks.:16A
  • Prąd przewodzenia:8A x2
  • Struktura półprzewodnika:wspólna katoda
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Cena jednostkowa:Nie
  • Typ diody:prostownicza Schottky
  • Technologia:SiC
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B2D16120HC1

B2D16120HC1

30,85 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B2D16120HC1
  • Numer katalogowy: 55B2D16120HC1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 38.00 szt.

Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 8Ax2; 74W; TO247-3

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Typ diody:prostownicza Schottky
  • Prąd przewodzenia maks.:16A
  • Napięcie wsteczne maks.:1,2kV
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Struktura półprzewodnika:wspólna katoda
  • Prąd w impulsie maks.:80A
  • Obudowa:TO247-3
  • Technologia:SiC
  • Prąd upływu:30µA
  • Napięcie przewodzenia maks.:1,82V
  • Moc rozpraszana:74W
  • Prąd przewodzenia:8A x2
  • Struktura półprzewodnika:podwójna
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B2D20065H1

B2D20065H1

32,15 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B2D20065H1
  • Numer katalogowy: 55B2D20065H1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 5.00 szt.

Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 650V; 20A; 130W; TO247-2

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Typ diody:prostownicza Schottky
  • Prąd przewodzenia:20A
  • Napięcie przewodzenia maks.:1,7V
  • Napięcie wsteczne maks.:650V
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Technologia:SiC
  • Obudowa:TO247-2
  • Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda
  • Prąd upływu:15µA
  • Moc rozpraszana:130W
  • Prąd w impulsie maks.:146A
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka
B2D20065HC1

B2D20065HC1

32,15 zł / szt.
  • Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
  • Symbol producenta: 55B2D20065HC1
  • Numer katalogowy: 55B2D20065HC1
  • Dostępność: Na zamówienie
  • Ilość: 26.00 szt.

Dioda: prostownicza Schottky; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 74W; TO247-3

  • Producent:BASiC SEMICONDUCTOR
  • Montaż:THT
  • Typ diody:prostownicza Schottky
  • Prąd przewodzenia maks.:20A
  • Napięcie wsteczne maks.:650V
  • Rodzaj opakowania:tuba
  • Struktura półprzewodnika:wspólna katoda
  • Obudowa:TO247-3
  • Technologia:SiC
  • Napięcie przewodzenia maks.:1,75V
  • Prąd w impulsie maks.:70A
  • Prąd upływu:30µA
  • Moc rozpraszana:74W
  • Prąd przewodzenia:10A x2
  • Struktura półprzewodnika:podwójna
  • Cena jednostkowa:Nie
szt.Do koszyka
dodaj do porównaniadodaj do schowka

Sklep internetowy shopGold
Korzystanie z tej witryny oznacza wyrażenie zgody na wykorzystanie plików cookies. Więcej informacji możesz znaleźć w naszej Polityce Cookies.
Nie pokazuj więcej tego komunikatu